产品品牌：秣马

产品型号：HMDS-11

晶片预处理系统
HMDS晶片预处理系统主要用于半导体芯片涂胶前的预处理工艺，去除晶片表面的OH强基，形成HMDS膜，可增加涂胶后的附着力。
主要技术指标
HMDS晶片预处理系统主要包括：真空反应室，真空系统，加热系统，HMDS送液系统，控制系统
不锈钢反应室：450*450*450mm
系统真空度：小于-100KPa
控制：显示屏设置各种参数，PLC控制
加热功率：1200W/220V
控制方式：自动/手动

HMDS 预处理系统 为提高光刻胶与片子粘附性、提高成品率，在光电行业人们在片子上旋涂 HMDS或将片子浸渍HMDS等增粘剂，但存在很多问题：均匀性、生产效率、污染颗粒物等。 而HMDS基片预处理系统能彻底解决这些问题，有些LED芯片制造企业开始使用HMDS基片预处理系统，经使用，效果非常好。 HMDS 预处理系统的必要性： 在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。 光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。 HMDS 预处理系统的应用领域： 在匀胶前的硅片等基片表面均匀涂布一层HMDS。作用：降低HMDS处理后的硅片接触角，进而降低匀胶时光刻胶在硅片表面铺展开的难度，提高光刻胶与硅片的黏附性，降低光刻胶的用量。 HMDS 预处理系统的原理： HMDS 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。 HMDS 预处理系统的一般工作流程： 首先设定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入通过氮气的HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。 HMDS与硅片反应机理圈如图1：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。 尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。 主要技术指标 钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体，一目了然。箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。工作室采用不锈钢板（或拉丝板）制成，确保产品经久耐用。 HMDS-BHMDS-A 内胆尺寸 560X600X640 450X450X450 外形尺寸 720X820X1800 610X700X720 电源：AC220V，功率：2060W 真空度：133Pa 流程控制：液晶触摸屏、PLC控制。 加热方式：腔体外侧加温。 温度：RT 10℃～ 200℃；微电脑温度控制器，控温精确可靠。控温精度：0.1℃，真空室温度不均匀性?5℃。 温度：RT 10℃～ 200℃；微电脑温度控制器，控温精确可靠。 控温精度：0.1℃ 联系方式上海秣马恒温设备 Tel: 02131612838 13512116499 Eamil:13512116499@139.com