4UF1200VVTC耦合谐振薄膜电容
产品特点:
聚丙烯薄膜金属化膜内串结构,外包阻燃迈拉胶带,阻燃(94V-0级)环氧封装,
M5,M6或M8铜螺母引出能承受大电流,大电压低损损耗,高稳定具有自愈性。
主要应用
广泛应用于GTO缓冲吸收以及大电流,高电压场合。
技术性能
项目
规格
引用标准
IEC6107161881
温度范围
-40 C-85 C
容量范围
0.33-3uf
额定电压
4000-10000V.DC
容量偏差
5%, 10%
极间耐电压
1.5Ur(DC)10s25 5 C
极壳耐电压
3000V50Hz60S25 5 C
损耗角正切
tg 8 10-4at25 5 C,1000Hz
绝缘电阻
C*IR 30000Sat100VDC,25 5 C60S
预期寿命
100000hatUrand70 C
型号种类
Un4000Vdc Urms1600Vac
Un5000Vdc Urms2000Vac
Un8000Vdc Urms3200Vac
SCR-4000-0.68
SCR-5000-0.5
SCR-8000-0.33
SCR-4000-0.75
SCR-5000-0.68
SCR-8000-0.5
SCR-4000-1.0
SCR-5000-0.75
SCR-8000-0.68
SCR-4000-1.5
SCR-5000-1.0
SCR-8000-0.75
SCR-4000-2.0
SCR-5000-1.25
SCR-8000-0.82
SCR-4000-2.5
SCR-5000-1.5
SCR-8000-1.0
SCR-4000-3.0
SCR-5000-2.0
SCR-8000-1.5