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VTCO尖峰吸收型电容薄膜器2UF 1200VDC

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规 格: 行业标准 
单 价: 面议 
起 订:  
供货总量: 99999
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 广东 深圳市
有效期至: 长期有效
更新日期: 2013-05-14 18:36
浏览次数: 9
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公司基本资料信息
 
 
 
【VTCO尖峰吸收型电容薄膜器2UF 1200VDC】详细说明
VTCO尖峰吸收型电容薄膜器2UF1200VDC 薄膜电容器 薄膜电容器是以金属箔当电极,将其和聚乙酯,聚丙烯,聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,从两端重叠后,卷绕成圆筒状的构造之电容器,聚丙烯电容(又称PP电容)是属于金属化薄膜电容中的一种。公司生产的薄膜电容是以聚丙烯薄膜为介质的VTCO薄膜电容 薄膜电容器可以按照外形与在电路中的作用分为以下几种: 1:滤波电容。2:吸收电容、尖峰吸收电容、突波吸收电容、IGBT吸收电容、无感吸收电容。3:谐振电容。4:直流支撑电容、DC-link电容。5:耦合电容等 产品特点:无极性,绝缘阻抗很高,频率特性优异(频率响应宽广),而且介质损失很小,介电常数较高,体积小,容量大,稳定性比较好,介质损耗小,绝缘电阻高等特点 IGBT吸收电容 IGBT吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器,可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管(IGBT),消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压,避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。 产品特点:能承受高脉冲电流,高dv/dtESL,ESR小,具有自愈性等 广泛用于:电力电子设备,不间断电源,逆变器,电镀电源,焊接等设备的IGBT模块吸收保护等 引用标准 IEC6107160068 温度范围 -40 C~85 C 容量范围 0.0047~10 F 额定电压 700~3000VDC 容量偏差 5%, 10% 极间耐电压 2Ur(DC)10s25 5℃ 极壳耐电压 3000V50Hz60S,25 5℃ 损耗角正切 Cr 1.0 Ftg 5 10-4 Cr>1.0 Ftg 6 10- at25 5℃,1KHz 绝缘电阻 C*IR 30000S,at100VDC,25 5℃,60S 预期寿命 100000hatUrand70℃
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