技术参数主要技术参数：离子能量：100-2000eV，连续可调离子电流密度：最大10mA/cm2离子束流：7-90uA，连续可调离子束直径：750-1200um(FWHM) 减薄速率：2000eV离子能量及30度离子束入射角时，c-Si上的减薄速率为28um/h样品台 减薄角度：0-45 ，电子调节步长为0.1 计算机控制样品平面旋转摇摆（0-120 角度范围，电子调节步长为10 ） 出众的厚度范围：涵盖TEM样品厚度（30-200um）主要特点主要特点优点： GentleMill温和型低能离子减薄仪（型号IV5/IV8）为最先进的制备高质量TEM/FIB样品的离子减薄工作站 ● 最先进的低能离子源：GentleMill离子束工作站所用的热阴极低能离子源，具有令人瞩目的专利技术。极其低能量的离子束确保使表面损坏及离子束诱导的无定形物减至最小限度。独特的离子源结构允许高离子束电流密度。所有离子枪参数包括加速电压及阴极电流由数字反馈回路全自动控制，但它们在样品制备过程中也可手动进行改变。离子源参数的初始值既可自动也可手动设置，并可在电脑显示屏中连续显示。● 无合成产物的样品制备：GentleMill在低能量离子轰击时对样品无损坏的独特能力，在应用科学及材料研究领域中，给用户提供了研究合成材料及自然材料中真实纳米结构的唯一工具。●对TEM/FIB样品进行清洁及后处理的快速、可靠的方法●独立用户模式，带有预编程设置的自动操作：第三代GentleMill3（型号IV8）为全计算机控制，通过易使用的图形界面操作。所有减薄参数包括离子源的设置、气流量控制、其它减薄参数如样品移动及倾斜角度的设置、穿孔检测等可以被贮存，或以任意步数进行预编程。这种全自动特点减少了人为干预，可制备高质量的样品。自动终止功能为图像分析模块支持的减薄过程的光学终止（探测样品穿孔或监视样品表面形貌）。GentleMill3配有软件扩展功能，可实现在线技术支持，通过网络进行即时故障侦测及问题排除。●样品进样系统：真空装载锁定系统，可进行快速样品更换；全机械、无胶合样品装载机构；对XTEM样品特别设计的钛框架及封装技术●可应用于工业环境研究●专门设计，可直接用于Hitachi的FIB-STEM/TEM系统3D样品托：基于Hitachi的FIB/STEM和Technoorg的GentleMill离子束工作站，Hitachi与Technoorg合作共同提供了一个完整方案用于特定要求低损坏样品的制备。半自动和全自动的GentleMill型号具有低能量离子减薄及清洁能力，可用于FIB样品制备的最后步骤来去除无定形物或损坏的表面层。这些型号可允许直接插入Hitachi的3DFIB/STEM样品杆，因而样品制备时间可大大地减少。●分类：GentleMill（型号为IV5），为计算机控制的标准型号；GentleMill3（型号为IV8），为全自动型号；GentleMillHiandGentleMill3Hi为与HitachiFIB/STEM系统兼容的型号。 仪器介绍仪器简要介绍：Technoorg出品的GentleMill系列产品可用于最终抛光、很容易对先前在标准高能离子减薄仪上或FIB上处理过的样品进行清洁及改善性能。推荐用户选择GentleMill型号来进行样品制备 无合成产物 几乎无损坏最佳质量的XTEM（截面透射电镜），HRTEM（高分辨透射电镜）或STEM（扫描透射电镜）样品制备。这些配置的离子减薄仪也可适用于对磨凹（凹坑）处理过的或薄的（ 25 m）、平面的、被机械抛光的样品进行快速减薄。