1、测量（1）输入端口 a、30MHz 2400MHz的高频通道端口 b、10Hz 30MHz的低频通道端口 c、晶振插孔为晶体测量端口（2）频率测量 a、量程： C0ㄈh 为 0 档 测量频率为30MHz 2400MHz C1ㄈh 为 1 档 测量频率为30MHz 800MHz C2ㄈh 为 2 档 测量频率为100KHz 30MHz C3ㄈh 为 3 档 测量频率为10Hz 30MHz b、分辩率： 1Hz, 10Hz，100Hz c、精度： 1计数值 基准时间误差x频率 d、闸门时间： 0.1S，1S，10S e、输入灵敏度： 15MV f、输入阻抗： 50 /1M j、最大输入电压： 30V（3） 计数测量 在第 4 档位（C4ㄈh）由10Hz 30MHz插口输入，分辩率为 1输入计数值。（4）晶体测量 在 2 和 3 档位上从面板晶振输入插孔插入欲测之晶体，测试晶振范围为3MHz 24MHz。（5）电源电压：AC220V 10%； 频率50Hz（6）功耗：3W（7）温度： 使用范围 -5℃ +50℃ 存放运输 -40℃ +60℃（8）湿度： 10-90%RH 存放运输 5-90%RH（9）预热时间：10分钟（10）尺寸：200x60x160(mm)（11）重量：约0.5Kg