InGaAs雪崩光电二极管组件特点： 高响应度 宽带宽 增益可达20 同轴尾纤式封装应用： 微弱信号模拟光接收机 OTDR技术指标（TC=25℃）：参数符号测试条件MinTypMax单位响应波长 1100 1650nm光敏面直径 50 m击穿电压VBRId=100 A304560V击穿电压温度系数 Tc=25~85℃ 0.10.15V/℃响应度R =1310nm、M=10.80.85 A/W =1550nm、M=10.90.95 暗电流Id e=0、M=10 110nA电容CtM=10、f=1MHz 0.41.0Pf-3dB带宽Fc =1550nm、M=1023 GHz光回损ORL =1550nm、SM30 dB工作电压VR =1550nm、M=100.9~0.95VBRV额定极限值： 正向电流：10mA 反向电流：3mA 工作温度：-40～+85℃ 存储温度：-40～+85℃ 焊接条件：260℃/10S