描述通道数:1隔离电压:5kV输出类型:Transistor输入电流:50mAOptoCaseStyle:DIP针脚数:4SVHC(高度关注物质):NoSVHC上升时间:18 s下降时间:18 s光电耦合器类型:TransistorOutput功耗:200mW外宽:6.5mm外部深度:4.58mm外部长度/高度:3.5mm封装类型:DIP-4工作温度最低:-30 C工作温度最高:100 C工作温度范围:-30 Cto+100 C引脚节距:2.54mm批准机构:UL批准类型:ULRecognised排距:7.62mm最大正向电流,If:50mA电压,Vceo:80V电流,Ic最大:8mA电流,Ic最小值:4mA输出电压最大:80V电流传递率(CTR)最小值:80%电流传递率(CTR),最大值:160%