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A1395SEHLT-T A1395

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规 格: 行业标准 
单 价: 面议 
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供货总量: 99999
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 广东 深圳市
有效期至: 长期有效
更新日期: 2010-10-05 10:03
浏览次数: 1
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公司基本资料信息
 
 
 
【A1395SEHLT-T A1395】详细说明
A1391、A1392、A1393、A1395带三态输出和用户可选休眠方式的微功率3 V线性霍尔效应传感器IC功能及优点休眠方式中的高阻抗输出兼容2.5至3.5 V电源10有源模式中 mW功率消耗微型MLP封装与比例式电源参考电压(VREF引脚)成比例的输出范围温度稳定的静止输出电压和灵敏度较宽的环境温度范围: 20 C到85 CESD保护超过3 kV高可靠性最后测试时预设灵敏度和偏移描述A139x系列线性霍尔效应传感器集成电路(IC)提供直接与所适用磁场成比例的电压输出。放大前,典型的霍尔效应IC的灵敏度(以mV/G为单位)与流经IC内部霍尔效应传感器元件的电流直接成比例。在许多应用中,要使霍尔效应传感器IC获得充分的灵敏度水平,如果不消耗3 mA以上的电流是很难实现的。A139x通过添加用户可选择的休眠方式将电流消耗减少至不超过25 A。这就使这些器件更适合于电池供电型应用,如:移动电话、数码照相机和便携式工具。最终用户可以通过将逻辑电平信号施加于SLEEP引脚来控制A139x的电流消耗。器件输出在休眠模式中是无效的(高阻抗模式)。高阻抗输出功能允许多个A139x霍尔效应器件与单个交流至直流转换器输入相连接。根据标称设置,这些器件的静止输出电压是施加到器件VREF引脚的比例式电源参考电压的50%。器件的输出电压与SUPPLY引脚的电压不成比例。尽管A139x中的电路具有低功率消耗,但高精度线性霍尔效应IC所要求的各项功能并未因此受到损害。每个器件都具有BiCMOS单片电路,该电路集成了已经改进的温度补偿霍尔效应电路,以降低霍尔元件、小型信号高增益放大器和专有动态偏移取消电路所固有的灵敏度漂移。在下线时进行的后封装出厂编程可确保对器件灵敏度和偏移的精确控制。这些器件采用2.0 3.0 mm,0.75 mm标称高度微型引脚小型封装(MLP/DFN)。该封装无铅,引脚框采用100%雾锡电镀。功能方框图
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