| 详细说明 | | 芯片内部集成650v耐高压POWERMOS，以满足低功耗的要求。待机模式下，通过降低工作频率来降低功耗同时输出稳定的工作电压。频率降低限制在20KHz/21.5KHz以下以避免产生音频噪声。在诸如开环、过压或由短路引起的过载等失效模式下，芯片通过内部的保护电路来使得芯片切换到重启动模式。通过内部精密电流峰值控制，变压器的尺寸和次级二极管的可以变得更小，从而来降低整个系统的成本。芯片具有用户定义软起动功能，以降低电磁干扰;工作电流可通过外部电阻调整;同时芯片内部集成了输入欠压保护,内置过热保护,内置过载保护和开环保护,自动重起期间可过压保护等保护功能。通过频率修调，以降低EMI,100KHz开关频率下，最大占空比72%,输出电流容差 5%。芯片外围应用电路设计简单,DIP8封装，满足RoHS环保要求,低功耗待机模式,以满足欧盟要求。 |
|
点击图片查看原图
