产品品牌：桂微牌 产品型号：C945/CR 应用范围 放大 功率特性 小功率 频率特性 低频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅 封装形式 SOT-23 封装材料 塑料封装 特征频率 典型值300（MHz） 集电极允许电流 0.2（A） 营销方式 厂家直销 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC945 ■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值 CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO 60 Vdc Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO 50 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO 5.0 Vdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Ic 100 mA Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 225 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55～150 ℃ ■DEVICE MARKING打標 GMC945(C945LT1)=CR HFE:120-220 200-400 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC945 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted如無特殊說明,溫度爲25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition 測試條件 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=60V, IE=0 0.1 A Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB=5V, IC=0 0.1 A Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 V(BR)CBO IC=100 A 60 V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 V(BR)CEO IC=1.0mA 50 V Emitter-Base Breakdown Votlage 發射極-基極擊穿電壓 V(BR)EBO IE=100 A 5 V DC Current Gain 直流電流增益 HFE VCE=6V, IC=1mA 120 400 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 VCE(sat) IC=100mA, IB=10mA 0.3 V Base-Emitter Saturation 基極-發射極電壓 VBE VCE=5.0V, IC=10mA 0.8 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=6.0V, IC=1mA 250 MHz 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC945 ■DIMENSION外形封裝尺寸