红外热分析显微镜技术参数_Optotherm IS640锁相热成像-立特为智能电话：l52l9504346 （温先生）

关键词：  Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1. 它的应用非常广泛，去封装的芯片分析，未去封装的芯片分析，电容，FPC,甚至小尺寸的电路板分析（PCB、PCBA）,这也就让你可以在对样品的不同阶段都可以使用thermal技术进行分析，如下图示例，样品电路板漏电定位到某QFN封装器件漏电，将该器件拆下后发现漏电改善，对该器件焊引线出来，未开封定位为某引脚，开封后扎针上电再做分析，进一步确认为晶圆某引线位置漏电导致，如有需要可接着做SEM,FIB等分析。

 

未开封器件分析

 

开封器件分析

2. 它能侦测的半导体缺陷也非常广泛，微安级漏电，低阻抗短路，ES击伤，闩锁效应点，金属层底部短路等等，而电容的漏电和短路点定位，FPC,PCB,PCBA的漏电，微短路等也能够精确定位

 

lock-in锁相分析

 

开封芯片漏电分析

 

GAN-SIC器件

3，它是无损分析：作为日常的失效分析，往往样品量稀少，这就要求失效分析技术最好是无损的，而对于某些例如陶瓷电容和FPC的缺陷，虽然电测能测出存在缺陷，但是对具体缺陷位置，市场上的无损分析如XRAY或超声波，却很难进行定位，只能通过对样品进行破坏性切片分析，且只能随机挑选位置，而通过Thermal 技术，你需要的只是给样品上电，就可以对上述两种缺陷进行定位

 

FPC缺陷分析

 

电容缺陷分析

4,锁相热成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：利用锁相技术，将温度分辨率提高到0.001℃，5um分辨率镜头，可以侦测uA级漏电流和微短路缺陷，远由于传统热成像及液晶热点侦测法（0.1℃分辨率，mA级漏电流热点）

 

5，系统能够测量芯片等微观器件的温度分布，提供了一种快速探测热点和热梯度的有效手段，热分布不仅能显示出缺陷的位置，在半导体领域

 

在集成电路操作期间，内部结自加热导致接合处的热量集中。器件中的峰值温度处于接合处本身，并且热从接合部向外传导到封装中。因此，器件操作期间的精确结温测量是热表征的组成部分。

 

芯片附着缺陷可能是由于诸如不充分或污染的芯片附着材料，分层或空隙等原因引起的。Sentris热分析工具（如 图像序列分析）可用于评估样品由内到外的热量传递过程，以便确定管芯接合的完整性。

OPTOTHERM Sentris 热发射显微镜系统作为一台专业为缺陷定位的系统，专为电子产品FA设计，通过特别的LOCK-IN技术，使用LWIR镜头，仍能将将温度分辨率提升到0.001℃（1mK），同时光学分辨率最高达到5um,尤其其软件系统经过多年的优化，具有非常易用和实用，以下是OPTOTHERM Sentris 热发射显微镜系统分析过程的说明视频

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)作为Optotherm公司中国代表（独家代理），在深圳设立optotherm红外热分析应用实验室，负责该设备的演示和销售，如有相关应用，可提供免费评估测试服务。

深圳市立特为智能有限公司LEADERWE立为包括立为智能国际有限公司和深圳市立特为智能有限公司，是一家专业提供电子、材料等领域分析及检测设备的综合服务供应商！

LEADERWE 立为拥有一批有着丰富经验的销售人员以及专业的服务人员，不仅为您提供高端实用的设备，更能为您完整的方案及相应的应用技术支持。

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热发射显微镜系统(Thermal Emission microscopy system)，是半导体失效分析和缺陷定位的常用的三大手段之一（EMMI,THERMAL,OBIRCH）,是通过接收故障点产生的热辐射异常来定位故障点(热点/Hot Spot)位置。

而OPTOTHERM Sentris 热发射显微镜系统,标配LOCK IN THERMOGRAPHY锁相热成像技术，将锁相技术和热成像技术有机结合，获得超过1mk以上的温度分辨率，对uA级漏电流或微短路等导致的缺陷，提供了非常好的解决方案。

Thermal EMMI 在电子及半导体行业应用，行业专家一刀博士有生动的描述，thermal 的应用
1. 它的应用非常广泛，去封装的芯片分析，未去封装的芯片分析，电容，FPC,甚至小尺寸的电路板分析（PCB、PCBA）,这也就让你可以在对样品的不同阶段都可以使用thermal技术进行分析，如下图示例，样品电路板漏电定位到某QFN封装器件漏电，将该器件拆下后发现漏电改善，对该器件焊引线出来，未开封定位为某引脚，开封后扎针上电再做分析，进一步确认为晶圆某引线位置漏电导致，如有需要可接着做SEM,FIB等分析。
2. 它能侦测的半导体缺陷也非常广泛，微安级漏电，低阻抗短路，ES击伤，闩锁效应点，金属层底部短路等等，而电容的漏电和短路点定位，FPC,PCB,PCBA的漏电，微短路等也能够精确定位
3，它是无损分析：作为日常的失效分析，往往样品量稀少，这就要求失效分析技术最好是无损的，而对于某些例如陶瓷电容和FPC的缺陷，虽然电测能测出存在缺陷，但是对具体缺陷位置，市场上的无损分析如XRAY或超声波，却很难进行定位，只能通过对样品进行破坏性切片分析，且只能随机挑选位置，而通过Thermal 技术，你需要的只是给样品上电，就可以对上述两种缺陷进行定位
4,锁相热成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：利用锁相技术，将温度分辨率提高到0.001℃，5um分辨率镜头，可以侦测uA级漏电流和微短路缺陷，远由于传统热成像及液晶热点侦测法（0.1℃分辨率，mA级漏电流热点）
5，系统能够测量芯片等微观器件的温度分布，提供了一种快速探测热点和热梯度的有效手段，热分布不仅能显示出缺陷的位置，在半导体领域

红外热分析显微镜技术参数_Optotherm IS640锁相热成像-立特为智能个应用是监测整个传送带烤箱烘烤带的温度一致性。如果电烤箱内部的加热元件发生故障，或整个气体射流冲击烤箱受热不均，产品流一侧的温度可能会降低。使用红外热像仪可迅速，红外热分析显微镜技术参数_Optotherm IS640锁相热成像-立特为智能整性。3、坏点的分类·静态坏点亮点：一般来说像素点的亮度值是正比于入射光的，而亮点的亮度值明显大于入射光乘以相应比例，并且随着曝光时间的增加，该点的亮度会显著增，红外热分析显微镜技术参数_Optotherm IS640锁相热成像-立特为智能像仪，研发人员可大幅提高散热设计各个环节的工作效率。一、快速评估热负载红外热像仪可对产品温度分布直观成像，帮助研发人员精准评估热分布，定位热负荷过大区域，让后续，红外热分析显微镜技术参数_Optotherm IS640锁相热成像-立特为智能，并且校正的坏点个数不受限制。动态坏点校正相对静态坏点校正具有更大的不确定性。动态数据处理中心可以分为两个步骤，分别为坏点检测和坏点校正。红外热像仪测温受环境因。