特点MOCVD材料生长技术表面电流扩展能力强良好的波长和发光强度均匀性100%PLmapping测试特征尺寸■典型外延片尺寸为2 ■外延片厚度：360 30 m/270 30 m可选择结构■n-GaAs衬底■AlGaInP多量子阱和DBR■表层：基于GaP的独特结构说明：*某些参数，如主波长，可以根据用户需求调整；**发光强度是华光光电利用外延片制作的9 9mil裸管芯测试结果，具体的电学、电光学、电光学性能与管芯制作工艺密切相关。 联系人：常先生：18653609063崔先生：18653609083肖小姐：18653609082宋小姐：18653609061