氮化铝陶瓷基片具有高达170W/m k的高热导率（为氧化铝的7倍）、较低的介电常数和介质损耗、可靠的绝缘性能，优良的力学性能，无毒，耐高温，耐化学腐蚀。产品经过清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室检测机构检验，其性能领先国内同类产品，与日本、欧美等国产品水平相当。作为理想的绝缘散热基板和封装材料，广泛应用于大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件等高技术领域。如：高功率微波射频器件、高亮度LED、影像传感器、电力电子器件等等。 AlN陶瓷基片主要性能指标性能内容性能指标热导率(W/m k） 170体积电阻率（ cm）＞1013介电常数[1MHz,25℃]9介电损耗[1MHz,25℃]3.8х10-4抗电强度(KV/mm)17体积密度（g/cm3） 3.30表面粗糙度Ra( m) 0.3~0.5热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃) 4.6抗弯强度(MPa) 320~330弹性模量(GPa) 310~320莫氏硬度8吸水率(%)0翘曲度(~/25(长度)) 0.03~0.05熔点2500外观/颜色灰白色注：1.表面光洁度经抛光处理后，Ra 0.1 m；2.产品各向尺寸精度通过激光划线保证，最小值 0.10mm；3.特殊规格产品可按客户要求定制生产。