红外线显微镜技术参数_Optotherm IS640热成像仪-立特为智能电话：l52l9504346 （温先生）

关键词：  Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1. 它的应用非常广泛，去封装的芯片分析，未去封装的芯片分析，电容，FPC,甚至小尺寸的电路板分析（PCB、PCBA）,这也就让你可以在对样品的不同阶段都可以使用thermal技术进行分析，如下图示例，样品电路板漏电定位到某QFN封装器件漏电，将该器件拆下后发现漏电改善，对该器件焊引线出来，未开封定位为某引脚，开封后扎针上电再做分析，进一步确认为晶圆某引线位置漏电导致，如有需要可接着做SEM,FIB等分析。

未开封器件分析

开封器件分析

2. 它能侦测的半导体缺陷也非常广泛，微安级漏电，低阻抗短路，ES击伤，闩锁效应点，金属层底部短路等等，而电容的漏电和短路点定位，FPC,PCB,PCBA的漏电，微短路等也能够精确定位

lock-in锁相分析

开封芯片漏电分析

GAN-SIC器件

3，它是无损分析：作为日常的失效分析，往往样品量稀少，这就要求失效分析技术最好是无损的，而对于某些例如陶瓷电容和FPC的缺陷，虽然电测能测出存在缺陷，但是对具体缺陷位置，市场上的无损分析如XRAY或超声波，却很难进行定位，只能通过对样品进行破坏性切片分析，且只能随机挑选位置，而通过Thermal 技术，你需要的只是给样品上电，就可以对上述两种缺陷进行定位

FPC缺陷分析

电容缺陷分析

4,锁相热成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：利用锁相技术，将温度分辨率提高到0.001℃，5um分辨率镜头，可以侦测uA级漏电流和微短路缺陷，远由于传统热成像及液晶热点侦测法（0.1℃分辨率，mA级漏电流热点）

5，系统能够测量芯片等微观器件的温度分布，提供了一种快速探测热点和热梯度的有效手段，热分布不仅能显示出缺陷的位置，在半导体领域

在集成电路操作期间，内部结自加热导致接合处的热量集中。器件中的峰值温度处于接合处本身，并且热从接合部向外传导到封装中。因此，器件操作期间的精确结温测量是热表征的组成部分。

芯片附着缺陷可能是由于诸如不充分或污染的芯片附着材料，分层或空隙等原因引起的。Sentris热分析工具（如 图像序列分析）可用于评估样品由内到外的热量传递过程，以便确定管芯接合的完整性。

OPTOTHERM Sentris 热发射显微镜系统作为一台专业为缺陷定位的系统，专为电子产品FA设计，通过特别的LOCK-IN技术，使用LWIR镜头，仍能将将温度分辨率提升到0.001℃（1mK），同时光学分辨率最高达到5um,尤其其软件系统经过多年的优化，具有非常易用和实用，以下是OPTOTHERM Sentris 热发射显微镜系统分析过程的说明视频

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)作为Optotherm公司中国代表（独家代理），在深圳设立optotherm红外热分析应用实验室，负责该设备的演示和销售，如有相关应用，可提供免费评估测试服务。

深圳市立特为智能有限公司LEADERWE立为包括立为智能国际有限公司和深圳市立特为智能有限公司，是一家专业提供电子、材料等领域分析及检测设备的综合服务供应商！

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国外的显微热成像系统大都基于制冷型焦平面探测器，其价格昂贵、体积大、重量大，从而影响了其在国内应用的普及。非制冷焦平面探测器具有较高的性能价格比、无需制冷等诸多优点，因此我国近年来开始相继开展非制冷型显微热成像系统的研究。但由于非制冷探测器阵列数目有限及探测单元尺寸的限制，空间采样频率无法满足采样定理，图像空间分辨力低，混频现象比较严重，而显微热成像系统属于放大模式，很多时候被观测的对象较小，细节多，因此急需提高系统的空间分辨力以满足细微热分析领域的需求。而微扫描技术可在不增加探测器像素规模和减小探测单元尺寸条件下，增加成像系统的空间采样频率，减少图像的频率混淆效应，减小探测器单元空间积分的影响，最终可以有效提高光电成像系统的分辨力，且系统成本较低，性价比高[四-2]。因此，研究将微扫描技术引入到显微热成像系统中以提高系统空间分辨力具有重要意义和实用价值。然而目前关于显微热成像系统的理论研究甚少，而光学微扫描技术应用到显微热成像系统中的报道更是寥寥无几。因此今后需大力开展基于微扫描的非制冷显微热成像的研究，主要研究问题如下：
（1）以往热成像系统的性能参数一般是衡量望远模式热成像系统的，不再适用于显微热成像系统。因此需要针对显微热成像系统建立这些参数的数学模型，给出提高系统性能的具体方案，为系统优化设计提供理论基础。而国内外关于显微热成像系统理论的报道甚少，尤其是系统性能参数的理论体系尚未建立。
（2）微扫描系统的微位移精度是微扫描系统重要的性能指标，也是影响整个显微热成像系统性能的重要因素，但微位移误差的数学模型尚未建立，而这是系统进行优化设计的关键。
（3）系统优化设计后，仍不可避免的存在误差，这就需要基于微扫描原理，进一步研究计算量小、实时性好的高分辨力过采样及超分辨力图像处理算法。
（4）进一步完善光学微扫描高分辨力显微热成像系统，集成系统的各个部分，并尝试将该系统改造以满足不同领域的需求，加强成果的产品化工作。
而这些问题不仅是显微热成像系统更是其他光学微扫描高分辨力光电成像系统所涉及的深层次问题和普遍性问题，需要亟待解决。
随着科学技术的发展，高精度的红外显微热成像系统在微区域热物理和化学问题探讨、微生物探测、MEMS优化设计等基础学科领域也将起到非常重要的推进作用，越来越多的领域需要利用显微热成像系统对微细结构的热分布进行检测分析。因此研制搭建结构更加简单、性能更加优良的显微热成像系统，推进高分辨力显微热成像系统的实用化进程，对我国的红外热成像行业及其相关领域发展有着重要的意义，具有广泛的应用前景。
红外线显微镜技术参数_Optotherm IS640热成像仪-立特为智能的闪烁体将透过人体后衰减的x线转换为可见光，闪烁体下的非晶硅光电二极管阵列又将可见光转换为电信号，在光电二极管自身的电容上形成存储电荷，每个像素的存储电荷量与入，红外线显微镜技术参数_Optotherm IS640热成像仪-立特为智能需要红外热像仪在初次上电或长时间工作后进行非均匀校正，以提高成像质量。目前红外热像仪通常采用两点与单点非均匀校正相结合的方法，在红外热像仪装配完成后通过黑体设备，红外线显微镜技术参数_Optotherm IS640热成像仪-立特为智能一致，若一致则判定为坏点，然后再计算校正结果对其进行校正。由于在硬件设计的时候需要占用大量的存储器，考虑到芯片面积以及一些其他原因，因此静态坏点有大小的限制，不，红外线显微镜技术参数_Optotherm IS640热成像仪-立特为智能而言，被测目标的风速不应高于5m/s。若现场风速高于此标准，会导致被测物体散热过快，是测量温度偏低。3、红外热像仪使用中会产生辐射干扰其他设备运行吗？会受到检测。