种类:结型(JFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:A/宽频带放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:ALGaAS铝镓砷开启电压:600制造商: INTERNATIONAL RECTIFIER 制造商编号: IRGP50B60PD1PBFRoHS协从产品:是描述晶体管类型:IGBT集电极直流电流:75A饱和电压, Vce sat 最大:2.35V最大功耗:390W电压, Vceo:600V封装类型:TO-247AC针脚数:3上升时间:10ns功率, Pd:390W功耗:390W器件标记:IRGP50B60PD1PbF封装类型:TO-247AC晶体管极性:N沟道最大连续电流, Ic:75A电压, Vces:600V电流, Icm 脉冲:150A表面安装器件:通孔安装