LT-2单晶少子寿命测试仪是参考美国A.S.T.M标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。 本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法的原理设计，由稳压电源、高频源、检波放大器，特制的InGaAsp／InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。技　术　指　标： 测试单晶电阻率范围 2 .cm 可测单晶少子寿命范围 5 S～7000 S 配备光源类型 波长：1.09 m；余辉 1 S； 闪光频率为：20～30次／秒； 闪光频率为：20～30次／秒； 高频振荡源 用石英谐振器，振荡频率：30MHz 前置放大器 放大倍数约25，频宽2Hz-1MHz 仪器测量重复误差 20％ 测量方式 采用对标准曲线读数方式 仪器消耗功率 25W 仪器工作条件 温度：10-35℃、湿度 80％、使用电源：AC220V，50Hz 可测单晶尺寸 断面竖测： 25mm 150mm；L2mm 500mm； 纵向卧测： 25mm 150mm；L50mm 800mm； 配用示波器 频宽0 20MHz； 电压灵敏：10mV／cm；