本仪器广泛应用于太阳能单晶（多晶）生产厂家为硅材料的分选测试，半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准而设计的，专用于测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。仪器采用了最新电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。如有需要可加配测试台使用。 RTS2测量范围 电阻率：0.01～1999.9 .cm； 方块电阻：0.1～19999 /□； RTS2A测量范围 电阻率：0.001～199.99 .cm； 方块电阻：0.01～1999.9 /□；RTS2恒流源 电流量程分为100 A、1mA两档，各档电流连续可调RTS2A恒流源 电流量程分为1mA、10mA两档，各档电流连续可调数字电压表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　 分辨力：10 V； 输入阻抗： 1000M ； 精度： 0.1%； 显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示；四探针探头基本指标 间距：1 0.01mm； 针间绝缘电阻： 1000M ； 机械游移率： 0.3%； 探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm； 探针压力：5～16牛顿(总力)；四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)模拟电阻测量相对误差(按JJG508-87进行) 1 、10 、100 小于等于0.3% 1字整机测量最大相对误差(用硅标样片：0.01-180 .cm测试) 5%整机测量标准不确定度 5%外型尺寸 125mm(宽)*145mm(高)*245mm(深)标准使用环境 温度：23 2℃； 相对湿度： 65%； 无高频干扰； 无强光直射；