热释电红外传感器 RE200B-P 这种传感器是由一种晶体材料做成，当这种晶体表面受到红外线照射时，会在晶体表面产生电荷。随着光线对晶体照射的改变，电荷量也会发生改变。这个改变的电信号可以通过场效应管来进行测量，基本就是这样的一个原理制作了这样的传感器。这种传感器对于不同波长的光线照射都能产生不同程度的响应，因此在传感器前会加入一个滤镜窗口，这就是为什么我们能看到的re200b的to5封装形式中有一个像玻璃似的小窗。当然通过这个滤镜可以限定晶体对特定波长的光线产生响应，一般在8um~14um，这样就非常接近人体辐射的红外线波长了。大概的原理就是这样的，希望能对你有所帮助。产品说明： 型号 RE200B-P灵敏元面积 2.0 1.0mm2基片材料 硅基片厚度 0.5mm工作波长 7-14 m平均透过率 ＞75%输出信号 ＞2.5V(420 k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益)噪声 ＜200mV(mVp-p) (25℃)平衡度 ＜20%工作电压 2.2-15V工作电流 8.5-24 A(VD=10V,Rs=47k ,25℃)源极电压 0.4-1.1V(VD=10V,Rs=47k ,25℃)工作温度 -20℃- +70℃保存温度 -35℃- +80℃视场 139 126 说明 该传感器采用热释电材料极化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰，提高了传感器的工作稳定性。使用 1、上述特性指标是在源极电阻R2=47K 条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到最佳光学设计。3、所有电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要防止接错管脚 型号RE200B灵敏元面积2.0 1.0mm2基片材料硅基片厚度0.5mm工作波长7-14 m平均透过率＞75%输出信号＞2.5V(420 k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz带宽72.5db增益)噪声＜200mV(mVp-p)(25℃)平衡度＜20%工作电压2.2-15V工作电流8.5-24 A(VD=10V,Rs=47k ,25℃)源极电压0.4-1.1V(VD=10V,Rs=47k ,25℃)工作温度-20℃-+70℃保存温度-35℃-+80℃视场139 126 说明该传感器采用热释电材料极化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰，提高了传感器的工作稳定性。使用1、上述特性指标是在源极电阻R2=47K 条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到最佳光学设计。3、所有电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要防止接错管脚