栅极|栅极通道|控制栅极|栅极结构生产技术工艺（168元/全套）欢迎选购！请记住本套资料（光盘）售价：168元；；资料（光盘）编号：F400387敬告：我公司提供技术资料均更新到客户购买当日的最新最全数据，不提供任何实物产品及设备，也不能提供生产销售厂商信息。\"因版面及工作量限制，每页只显示前10项技术的摘要信息，更多信息及详细全文资料将以光盘形式提供。此光盘包括“专利技术219篇”。8128-0208-0001 一种制备在GaAs基底上生长含Al外延层半导体材料的方法 摘要 本发明涉及一种制备在GaAs基底上生长含Al外延层的半导体材料的方法，将GaAs衬底在真空中，以常规方法将其表面在As分子束保护下加热到580℃脱去表面氧化膜，然后通入As：Ga束流，生长GaAs缓冲层，在GaAs缓冲层表面再生长含Al外延层，最后覆盖GaAs盖帽层，得到半导体材料，其特征在于：在400℃～650℃，采用As分子束保护，在GaAs缓冲层表面再生长含Al外延层时，加入As原子摩尔数的1～10％的In原子作为表面活化剂。本发明可以增强其它原子在外延表面的迁移长度，从而达到改善多层外延膜的界面质量和体质量的目的。8128-0111-0002 溶液影响的取向 摘要 一种形成取向聚合物层的方法，该方法包括：在溶剂内淀积聚合物膜；使聚合物产生取向，同时一些溶剂仍残留在膜内；和通过从膜中除去溶剂来固化膜。8128-0022-0003 压力传感器和生产压力传感器的方法 用通过在一种铝的羟基矿物—勃姆石(AlO(OH))水溶液中加入二氧化钛制备的涂层溶液将一种用蓝宝石制成的板件—盖板(130)与固定在缓冲部件(120)上的压力传感器块(110)结合。8128-0187-0004 半导体装置以及半导体装置的制造方法 摘要 本发明提供一种提高动作速度的同时能抑制临界电压的变动的半导体装置。该半导体装置中，将氟导入到跨越第一导电型半导体区域和第二导电型的源极/漏极区域的接合界面的区域、栅极绝缘膜与沟道区域的至少中央区域的以及栅极绝缘膜、和侧壁绝缘膜中的至少一种之中。8128-0112-0005 一种制作薄膜晶体管的方法 摘要 本发明公开一种制作薄膜晶体管的方法，包括：提供一衬底；于该衬底上沉积一非晶硅层；利用一等离子体接触该非晶硅层，以调整该薄膜晶体管的启动电压；及进行一结晶工艺，使该非晶硅层转换成一多晶硅层。若上述等离子体是一含氧等离子体，可将该薄膜晶体管的启动电压向负方向偏移调整。若上述等离子体是氨气等离子体，可将该薄膜晶体管的启动电压向正方向偏移调整。8128-0063-0006 一种变相转换导热胶材 摘要 本发明涉及一种变相转换导热胶材，有助于将电子组件产生的热传送至散热器，该变相转换导热胶材主要系由次微米或纳米的粉末导热基材与蜡混合制成的胶材，可直接采用喷涂或网印方法使其附着在散热器表面上，或者可将其装入针管筒中注入散热器表面上，使其由固态变相转换成液态时，能完全填补于散热器表层组织空洞内，不增加导热介质的厚度，得以提高热传导的材料系数，达到散热器与发热电子组件接触面的热传材料完全密实导热，使其具有最佳热传导效率。8128-0186-0007 金属氧化物半导体场效应晶体管 摘要 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，在实际动作区域周围设置的护圈上未设置电极的部分，在护圈近旁引起电荷集中，而图案不均匀。本发明的金属氧化物半导体场效应晶体管包括：实际动作区域5，其排列多个MOS晶体管的单元6；源极电极7，其被设置在该实际动作区域上，并和所述MOS晶体管各单元的源极区域18连接；源极片电极，其和该源极电极连接；栅结合片电极1，其和所述MOS晶体管各单元的栅极电极16连接；护圈22，其被设置在源极区域18周围，其中，扩张所述源极电极，覆盖所述护圈上的未覆盖栅极电极的部分。8128-0146-0008 可增加穿透电压的高压组件及其与低压组件制程匹配的制作方法 摘要 一种可增加穿透电压的高压组件及其与低压组件制程匹配的制作方法。一半导体硅基底，其表面上定义有一高压组件区域。一闸极结构，形成于该高压组件区域内。一轻掺杂区域，形成于该闸极结构侧边的该半导体硅基底内。一侧壁子，形成于该闸极结构的侧壁上。一重掺杂区域，形成于该侧壁子侧边的该轻掺杂区域内，该重掺杂区域与该相邻的侧壁子之间维持有一横向间距。8128-0106-0009 发射辐射的芯片和发射辐射的元件 摘要 本发明涉及一个发射辐射的芯片(2)，该芯片具有：一个辐射能穿透的窗口(5)，该窗口具有一个折射率nF和一个主面(19)；一个多层结构(9)，该多层结构含有一层产生辐射的有源层(10)并邻接窗口(5)的主面(19)；和一种包围窗口(5)的、具有折射率n0的、辐射能穿透的介质。窗口(5)具有至少两个界定面(6，7)，这两个界定面夹成一个β角，该角满足不等式：90°-αt＜β＜2αt 式中 αt＝arcsin(n0/nF)；此外，本发明涉及一种发射辐射的元件，该元件含有这样一个芯片(2)。8128-0036-0010 半导体处理装置的药液浓度控制装置 摘要 提供一种半导体处理装置的药液浓度控制装置，它可以使处理用的药液浓度保持不变，同时能保持处理所需要的液面高度。它具有测定药液浓度的浓度测定手段、观测经过浓度反馈控制系统的等待时间后浓度的漂移量的漂移观测手段、计算各药液的补充量的补充量计算手段、预测补充了上述补充量计算手段计算的补充量到达时的浓度的浓度预测手段、使用上述补充量计算手段得到的各药液补充量的总和为定量进行处理的定量补充处理手段、按照上述定量补充处理手段计算的补充量控制药液补充的补充控制手段。根据上述补充量计算手段、上述浓度测定手段和上述漂移观测手段的各测定数据以及上述浓度预测手段的浓度预测数据，相对于预先设定的标准补充量计算各药液的补充量。8128-0079-0011 一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其集成电路的制作方法8128-0180-0012 图像传感器件及制造方法8128-0050-0013 浅槽隔离层的制作方法8128-0201-0014 电子器件的清洗8128-0078-0015 场效应晶体管8128-0018-0016 制造半导体装置的方法8128-0202-0017 在处理工具之间输送小批量衬底载体的系统和方法8128-0152-0018 制造半导体器件的方法8128-0197-0019 一种具有AlAs氧化层的半导体材料8128-0044-0020 测试集成电路卡中芯片操作系统和芯片兼容的装置8128-0131-0021 金属氧化膜的形成方法8128-0101-0022 半导体装置8128-0105-0023 多色发光灯和光源8128-0114-0024 自对准接触的侧壁间隔片结构及其形成方法8128-0151-0025 一种制作双镶嵌结构的方法8128-0140-0026 连接垫及其制造方法8128-0116-0027 基片处理设备8128-0192-0028 具有发光变换元件的发光半导体器件8128-0177-0029 浮置栅极存储单元及其制造方法8128-0055-0030 改善蚀刻中止层与金属层间的粘着性的工艺与结构8128-0209-0031 一种制备绝缘体上硅结构的方法8128-0031-0032 射束照射装置、射束照射方法及半导体装置的制作方法8128-0057-0033 制造半导体器件的电容器的方法8128-0040-0034 低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法8128-0089-0035 高压高温电容结构及其制造方法8128-0162-0036 半导体装置及其制造方法8128-0165-0037 具有散热片的散热器和该散热器的制造方法8128-0035-0038 一种半导体器件含氮栅氧化硅层结构及其制造工艺8128-0043-0039 半导体模块及其制造方法8128-0083-0040 一种提高染料敏化TiO2纳米晶电池效率的方法8128-0182-0041 固态成像装置8128-0102-0042 具有有源沟槽角落和厚底部氧化物的沟槽型MIS器件及其制造方法8128-0008-0043 抛光包括铜和钨的半导体器件结构中使用的浆液与固定磨料型抛光垫以及抛光方法8128-0073-0044 具有沟槽型选择栅极的快闪存储器及制造方法8128-0213-0045 夹盘设备8128-0017-0046 电极构造、薄膜构造体的制造方法8128-0099-0047 具有侧向连接的电容器的电子组件及其制造方法8128-0135-0048 多栅极晶体管的结构及其制造方法8128-0090-0049 一种特别适用于光学、电子学或光电子学器件的基片加工方法和由该方法获得的基...8128-0004-0050 制造微电子电路的方法和微电子电路8128-0042-0051 半导体元件、半导体器件以及其制作方法8128-0047-0052 故障解析装置8128-0016-0053 树脂密封型半导体装置及使用的芯片焊接材料和密封材料8128-0038-0054 一种金属线间介质膜的两步淀积工艺8128-0194-0055 发光二极管8128-0164-0056 散热片的装配8128-0195-0057 带有光敏器件的有机发光二极管显示器8128-0107-0058 具有薄膜式衬底的热电模块8128-0217-0059 垂直MOS晶体管的制造方法8128-0154-0060 集成电路设计整合方法及其应用的组件、交易方法与产品8128-0005-0061 制造半导体元件的方法及其半导体元件8128-0021-0062 半导体装置及其制造方法8128-0032-0063 半导体器件及其制造方法8128-0215-0064 半导体器件的制造方法8128-0103-0065 使用通过液体的光学聚集的太阳能转换器8128-0006-0066 真空处理装置8128-0136-0067 印刷掩模及使用该掩模的电子零件的制造方法8128-0070-0068 包括每个有浮动栅和控制栅极的MOS晶体管的半导体存储器8128-0054-0069 半导体集成电路器件及其制造方法8128-0001-0070 太阳能电池的基片、具有此基片的太阳能电池以及太阳能电池的生产工艺8128-0092-0071 薄片制造设备、薄片制造方法和太阳能电池8128-0053-0072 半导体装置及其制造方法8128-0011-0073 内含沟道型肖特基整流器的沟道型DMOS晶体管8128-0074-0074 将电路集成在绝缘层的系统及将系统集成在绝缘层的方法8128-0120-0075 一种形成暨测试一相移掩膜的方法8128-0045-0076 测量金属氧化半导体晶体管的栅极通道长度的方法8128-0041-0077 降低薄膜晶体管基板表面漏电流的方法8128-0200-0078 衬底元片及软衬底8128-0147-0079 于间距缩小工艺中整合存储单元数组区与周边电路区的方法8128-0048-0080 基板保持工具、电子仪器制造方法、光掩膜的制造方法8128-0139-0081 具有外延的C49-硅化钛（TiSi2）层的半导体装...8128-0184-0082 半导体元件8128-0029-0083 色心蓝宝石衬底的制备方法8128-0169-0084 半导体器件及其制造方法8128-0026-0085 束照射装置、束照射方法及薄膜晶体管的制造方法8128-0179-0086 非易失性存储器件及其制造方法8128-0199-0087 供气装置8128-0095-0088 半导体晶片中凸点的形成方法及其形成设备8128-0051-0089 浅沟渠隔离区的制造方法8128-0033-0090 一种用于制造闪烁存储器控制栅堆积结构形成工艺的改进方法8128-0071-0091 半导体存储装置及半导体集成电路8128-0143-0092 一种准单跳变测试集的低功耗内建自测试产生器8128-0130-0093 利用电子束制程增加界面附着性的方法8128-0003-0094 半导体器件及其制造方法8128-0104-0095 GaAs基激光器制造方法和GaAs激光器8128-0198-0096 一种砷化镓基半导体-氧化物绝缘衬底及其制备方法8128-0009-0097 用源极侧硼注入的非易失性存储器8128-0207-0098 低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法8128-0052-0099 浅沟渠隔离的平坦化方法8128-0065-0100 半导体器件8128-0123-0101 半导体器件8128-0204-0102 制造装置及制造方法8128-0210-0103 清洗电子元件或其制造设备的元件的方法和装置8128-0034-0104 一种半导体器件含氮双栅氧化硅层的制备方法8128-0084-0105 带有具有冷却功能的反射器的半导体发光器件8128-0064-0106 异形板翅式换热器芯子8128-0171-0107 包括转变检测电路的半导体器件及其启动方法8128-0024-0108 使用LED的发光装置8128-0115-0109 单晶硅膜的制造方法8128-0178-0110 可实现大的自对准接触(SAC)开口余量的槽晶体管(TR)栅及其形成方法8128-0061-0111 表面安装型高频模块8128-0027-0112 半导体器件及其制造方法8128-0191-0113 白光发光二极管及其制作方法8128-0124-0114 缘经过研磨的氮化物半导体基片及其边缘加工方法8128-0155-0115 半导体元件布局设计装置、布局设计方法和布局设计程序8128-0156-0116 半导体器件8128-0148-0117 半导体器件的制造方法8128-0166-0118 半导体封装及其引线框架8128-0110-0119 透明平面体8128-0085-0120 半导体发光二极管及其制造方法8128-0117-0121 薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备8128-0014-0122 用于制造并进行流体喷射的流体喷射环和方法8128-0080-0123 一种高介电常数材料栅结构及其制备工艺8128-0076-0124 半导体器件及其制造方法8128-0138-0125 一种薄型集成电路的封装方法8128-0153-0126 分割半导体晶片的方法8128-0161-0127 半导体装置、三维安装型半导体装置的制法、电路板、电子仪器8128-0129-0128 半导体器件及半导体器件的制造方法8128-0081-0129 半导体器件及其制造方法8128-0002-0130 发光或受光用半导体模块及其制造方法8128-0189-0131 光电元件的制造方法8128-0128-0132 硅的各向异性湿式蚀刻8128-0118-0133 制造对象物的搬送装置和制造对象物的搬送方法8128-0015-0134 基底及其制造方法,以及薄膜结构体8128-0037-0135 金属线间介质膜的填充工艺8128-0088-0136 低K金属前电介质半导体结构8128-0212-0137 制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备8128-0097-0138 制造半导体模块的方法以及按照该方法制造的模块8128-0007-0139 选择性腐蚀氧化物的方法8128-0062-0140 导热管与导热基座的结合方法8128-0188-0141 叠层型光生伏打元件8128-0077-0142 数字随耦器、数字储存组件以及静态随机存取内存8128-0121-0143 用于分子存储器和逻辑器件的定制电极8128-0132-0144 金属斜角蚀刻结构、源极/漏极与栅极结构及其制造方法8128-0149-0145 防止微影工艺对准失误的结构与方法8128-0039-0146 减少金属线缺陷的改进工艺8128-0093-0147 形成低表层电阻的超浅结的方法8128-0159-0148 利用反向自对准过程制造双ONO式SONOS存储器的方法8128-0133-0149 使用互补金属氧化物半导体工艺制造双极性晶体管的方法8128-0108-0150 自供电开关启动系统8128-0205-0151 半导体器件的制造方法8128-0087-0152 制造有机晶体管的方法及有机晶体管8128-0185-0153 半导体器件及其制造方法8128-0020-0154 电子部件8128-0214-0155 半导体装置的制造方法及半导体装置8128-0075-0156 具有带有两个腙基的电荷传输材料的有机光感受器8128-0067-0157 控制输出阻抗和转换速率的半导体集成电路8128-0160-0158 半导体装置、电路基板以及电子设备8128-0028-0159 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法8128-0142-0160 一种防静电破坏的IC晶片电性测试设备及防静电破坏的方法8128-0109-0161 大量生产多个磁传感器的方法8128-0094-0162 金属图案的成型8128-0144-0163 测试分类机的温度监控系统8128-0196-0164 有机发光二极管面板的制作方法8128-0058-0165 应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺8128-0190-0166 有机半导体电致发光三极管及其制法8128-0150-0167 一种利用重复曝光形成双镶嵌结构的方法8128-0175-0168 快闪存储单元、快闪存储单元的制造方法及其操作方法8128-0068-0169 具应变通道的互补式金氧半导体及其制作方法8128-0049-0170 等离子体处理装置、聚焦环和基座8128-0170-0171 记忆模块及具无柱塞信号线及分布电容性负荷之记忆装置8128-0173-0172 半导体存储装置8128-0098-0173 包合薄板状基材之集成电路配置8128-0174-0174 强电介质层及其制法、强电介质电容器及强电介质存储器8128-0203-0175 半导体器件的制造方法、集成电路、电光装置和电子仪器8128-0012-0176 薄膜构造体的制造方法8128-0181-0177 固体摄像装置8128-0113-0178 一种自动化形成半导体实验元件布局的方法与系统8128-0137-0179 通过压力成形来制造引线框的装置和方法及制成的引线框8128-0141-0180 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法8128-0127-0181 干式蚀刻装置及干式蚀刻方法8128-0158-0182 半导体器件及其制造方法8128-0030-0183 低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管8128-0066-0184 半导体集成电路装置及使用它的电子卡8128-0096-0185 到栅极的自对准接触8128-0218-0186 半导体封装基板的电性连接垫电镀金属层结构及其制法8128-0059-0187 闪存的制造方法8128-0060-0188 安装电子部件的薄膜载带及生产方法及涂敷阻焊剂的印网8128-0126-0189 化学机械抛光方法以及与其相关的洗涤/冲洗方法8128-0145-0190 用于晶圆的夹持装置、夹持销、滚轮夹持装置及夹持滚轮8128-0163-0191 散热片的制造方法8128-0119-0192 整合对准标记与沟槽组件的制程8128-0216-0193 自动对准接触插塞的制造方法8128-0056-0194 设计低功耗半导体集成电路的方法8128-0023-0195 光接收元件和具有光接收元件的光子半导体器件8128-0183-0196 固态成像装置及其制造方法8128-0100-0197 微影对准设计及CMP加工波纹表面覆盖量测记号8128-0125-0198 可以识别表里的矩形氮化物半导体基片8128-0206-0199 低温多晶硅薄膜的制造方法8128-0010-0200 具有埋置电容器的电子封装及其制造方法8128-0019-0201 半导体元件及其制造方法、多层印刷布线板及其制造方法8128-0086-0202 发光器件及其制造方法8128-0072-0203 半导体存储器件8128-0211-0204 保护层的剥离装置及剥离方法8128-0069-0205 非挥发性存储元件的结构8128-0168-0206 一种具有双层保护层的镶嵌金属内连线结构8128-0167-0207 具有保护环的半导体器件8128-0046-0208 太阳电池少数载流子寿命分析仪8128-0091-0209 具有受控机械强度的可拆除基片及其生产方法8128-0157-0210 只读存储器的制造方法8128-0025-0211 制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法8128-0134-0212 具有应变硅锗层磊晶的场效应晶体管结构及其制造方法8128-0013-0213 具有超薄磁性层的TMR材料8128-0176-0214 半导体存储装置8128-0193-0215 具有发光变换元件的发光半导体器件8128-0122-0216 电子束处理方法及电子束处理装置8128-0172-0217 强电介质存储装置的数据读出方法及强电介质存储装置8128-0082-0218 太阳能电池模块和太阳能电池模块阵列8128-0219-0219 安装衬底的制造方法及电路装置的制造方法查询更多技术请点击： 中国创新技术网（http://www.887298.com） 金博专利技术网（http://www.39aa.net） 金博技术资料网（http://www.667298.com） 购买操作说明（点击或复制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt） 本部（辽宁日经咨询有限公司技术部）拥有各种专利技术、技术文献、论文资料近20万套500多万项，所有专利技术资料均为国家发明专利、实用新型专利和科研成果，资料中有专利号、专利全文、技术说明书、技术配方、技术关键、工艺流程、图纸、质量标准、专家姓名等详实资料。所有技术资料均为电子图书（PDF格式，没有录像及视频），承载物是光盘，可以邮寄光盘也可以用互联网将数据发到客户指定的电子邮箱（网传免收邮费）。(1)、银行汇款：本套资料标价(是网传价，不包含邮费，如邮寄光盘加收15元快递费，快递公司不能到达的地区加收22元的邮政特快专递费)汇入下列任一银行帐号（需带身份证），款到发货！中国农业银行:9559981010260269913 收款人: 王雷中国邮政银行:602250302200014417 收款人: 王雷中国建设银行：0600189980130287777 收款人: 王雷中国工商银行:9558800706100203233 收款人: 王雷中国 银行：418330501880227509 户 名：王雷邮局地址汇款：117002辽宁省本溪市溪湖顺山科报站 收款人: 王雷汇款后请用手机短信（13050204739或13941407298）通知，告诉所需技术光盘名称、编号、数量及收货人姓名、邮政编码和详细地址。（如需网传请告邮箱地址或QQ号）单位：辽宁日经咨询有限公司（技术部）地址：辽宁省本溪市溪湖顺山科报站联系人：王雷老师电 话：0414-2114320 3130161手 机：1394140729813050204739客服QQ：547978981 824312550 517161662敬告：本公司已通过国际华夏邓白氏资质认证，查看认证信息请点击：http://fuqiangxx.b2b.hc360.com/shop/mmtdocs.html 办理全国范围货到付款业务：请与QQ：547978981联系办理。本公司经营技术、资料、工艺、配方，质量保证，欢迎咨询洽谈。