锗化硅技术专题,甲锗烷氧基,硅锗氢化物,硅锗合金类技术资料(198元/全套)欢迎选购！请记住本套资料（光盘）售价：198元/全套)；资料（光盘）编号：F317660敬告：我公司只提供技术资料，不能提供任何实物产品及设备，也不能提供生产销售厂商信息。[27561-0022-0001] 双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻 [摘要] 提供了一种用于在处理室中蚀刻衬底上的具有至少一个锗化硅层的叠层的方法。提供了锗化硅的蚀刻。将蚀刻剂气体提供到处理室中，其中蚀刻剂气体包括HBr、惰性稀释剂、以及O2与N2中的至少一种。将衬底冷却到40℃以下的温度。将蚀刻剂气体转换成等离子体，以蚀刻锗化硅层。[27561-0032-0002] 硅锗氢化物以及制造和使用其的方法 [摘要] 本发明提供了新型的硅锗氢化物化合物，它们的合成方法，它们的沉积方法和使用所述新型化合物制成的半导体结构。该化合物由下式限定：(SiHn1)x(GeHn2)y，其中x是2、3或4；其中y是1、2或3；其中x y为3、4或5；其中对于该化合物中的每个原子，n1独立地为0、1、2或3，以便满足化合价；并且其中对于该化合物中的每个Ge原子，n2独立地为0、1、2或3，以便满足化合价；条件是当y为1时n2不为0；另外的条件是当x为3且y为1时，n2为2或3；且另外的条件是当x为2且y为1时，n2为3。[27561-0018-0003] 纯化含有氢化合物的四氯化硅或四氯化锗的方法和装置 本发明涉及一种纯化被至少一种含氢化合物污染的四氯化硅或四氯化锗的方法，其中所要纯化的四氯化硅或四氯化锗，以目标方式，通过冷的等离子体来处理，和，所纯化的四氯化硅或四氯化锗从这样被处理的相中分离。本发明还涉及一种进行本发明方法的装置，其包括四氯化硅或四氯化锗的存储和汽化设备(4.1或5.1)，其通过连接管线与反应器(4.3或5.3)的入口连接，反应器具有控制设备(4.4或5.4)，用于产生介电受阻放电，反应器的出口通过导管，直接或间接通过至少一个另外的反应器(5.5)与冷凝设备(4.5或5.11)连接，冷凝设备的下游是收集容器(4.6或5.12)，其通过排出管线(4.6.2或5.12.1)与蒸馏设备(4.8或5.13)连接，如果适合，配有加料管线(4.6.1)至设备(4.1)。[27561-0024-0004] 低温二氧化锗-有机改性硅酸盐复合材料的制备方法 [摘要] 一种低温二氧化锗-有机改性硅酸盐复合材料的制备方法，首先将γ-(2，3环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、乙醇和去离子水混合，然后加入盐酸作为溶液A；然后将异丙醇锗和2-甲氧基乙醇混合作为溶液B；其次将溶液A和溶液B混合，得到复合基质母液；在复合基质母液中加入4-羟基偶氮苯小分子得到悬浊液；利用旋转涂层工艺将悬浊液沉积在石英玻璃基片上，然后将沉积好的薄膜样品加热处理即可。本发明采用改进溶胶-凝胶技术结合低温有机-无机复合技术实现具有合成温度低、工艺要求简单、而且重复性好的特点，利用二氧化锗和有机改性硅酸盐为基质的低温有机-无机复合薄膜材料，通过掺入有机染料偶氮苯小分子功能基团以实现具有光存储功能同时集光波导特性于一身的光子复合材料。[27561-0001-0005] 硅锗/绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法 [摘要] 本发明提供了一种制造简单SiGe/SOI结构的方法。尤其是，通过生长SiGe外延层，然后在550-1050℃之间的温度使其弛豫退火，而将SOI的顶硅层转化为Si1-xGex。该温度处理使SiGe弛豫，以将Ge顶硅层转化为弛豫的SiGe层并且消除了SOI膜中的缺陷。因此，可得到缺陷密度非常低的晶体。该SiGe层覆盖有外延的硅层。因为该硅层生长在弛豫的SiGe上，所以顶硅层是应变的硅层。因此，得到了更高的电子和孔穴迁移率。埋入的氧化物界面作为SiGe弛豫的缓冲区。不需要缓变的SiGe层。结果是，该结构的缺陷密度实质上低于现有技术结构的缺陷密度。[27561-0007-0006] 一种对硅/锗的硅化学选择腐蚀方法 [摘要] 一种对硅/锗硅化学选择腐蚀方法，采用NH4OH溶液对硅/锗合金的硅进行化学选择性腐蚀。本发明所提出采用NH4OH溶液从锗硅上选择腐蚀硅的方法。此方法不仅具有很高的选择腐蚀比，而且与常规微电子集成电路工艺兼容，且溶液无毒、还具有工艺简单等优点。[27561-0035-0007] 监控锗硅外延反应腔设备参数变化的方法 [摘要] 本发明公开了一种监控锗硅外延反应腔设备参数变化的方法，包括如下步骤：(1)编辑锗硅淀积程序时将淀积分为不同的步数，每一步淀积的每一层膜不一样，或掺入锗烷，或不掺入锗烷；(2)编辑对应的膜厚测量程序，不掺锗烷的层次监控设备温度，掺锗烷的层次监控锗烷流量；(3)对设备温度、锗烷流量拉偏，画出不同层膜厚随温度、锗烷流量的变化曲线；(4)当测量结果异常时，根据上述膜厚随温度、锗烷流量的变化曲线，将每一层膜厚调整至目标值。本发明利用锗硅淀积程序和膜厚测试程序的配合，对设备温度和锗烷流量的变化及时监控，通过膜厚的变化反映出设备参数的变化，利于发现工艺参数变化的根本原因，以恢复设备的初始状态。[27561-0020-0008] 用于Ⅲ族氮化物基器件的硅碳锗(SiCGe)衬底 [摘要] 本发明提供了用于由III族氮化物材料系统形成的电子器件的衬底，该衬底包含硅碳层以及在该硅碳层上的硅碳锗层，该硅碳层和硅碳锗层形成了用于由III族氮化物材料系统形成的器件的衬底。[27561-0016-0009] 具有锗化硅材料和受应力氮化硅层的衬底 [摘要] 一种用于制造半导体器件的方法包括在衬底上提供搀杂硅区域，并且在衬底上邻近该搀杂硅区域形成锗化硅材料。受应力氮化硅层被形成在衬底上的搀杂硅区域的至少一部分上。锗化硅层和受应力氮化硅层在衬底上的搀杂硅区域中引入应力。在一个版本中，半导体器件具有源极区域和漏极区域的晶体管，其中源极区域和漏极区域具有锗化硅材料，并且搀杂硅区域形成配置为在源极区域和漏极区域之间导通电荷的沟道。受应力氮化硅层形成在该沟道的至少一部分上，并且根据期望的器件特性可以是受拉应力或压应力的层。[27561-0017-0010] 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法 [摘要] 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH4、C2H4为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C2H4分压0.01～0.15Pa，GeH4分压0.10～1.10Pa，气源与衬底外扩的Si发生外延反应，结合外延层中的Ge向衬底扩散，最终在衬底表面生长一层Ge组分渐变的Si1-xGex：C缓冲层，缓冲层的厚度为0.5～10微米；继而生长Ge薄膜；尤其是在400～600℃下保持腔体压强15～100Pa，GeH4分压0.17～1.11Pa，在Ge组分渐变的Si1-xGex：C缓冲层上外延Ge薄膜。该缓冲层的存在，在Si衬底上形成了一系列的低失配界面，实现位错密度和热失配的递减，从而实现连续的应变弛豫。[27561-0014-0011] 具有镍锗硅化物栅极的MOSFET及其形成方法[27561-0021-0012] 应变硅CMOS晶体管的原位掺杂硅锗与碳化硅源漏极区[27561-0009-0013] 一种硅锗氧化物复合纳米线的制备方法[27561-0005-0014] 含硅锗层的互补金属氧化物半导体器件和基片及形成方法[27561-0011-0015] 诸如锗硅碳化物波导的波导及其制作方法[27561-0031-0016] 监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法[27561-0013-0017] 用低能量等离子体增强化学气相沉积法形成高迁移率硅锗结构[27561-0003-0018] 制造锗掺杂的二氧化硅用的原料及制造方法[27561-0019-0019] 利用双掩埋氧化物绝缘体上硅晶片的嵌入硅锗及其形成方法[27561-0023-0020] 通过氧化掩埋多孔硅层形成绝缘体上硅锗结构[27561-0026-0021] 特制的功能化硅和/或锗的表面[27561-0012-0022] 具有被含有烯烃残基的甲硅烷氧基或甲锗烷氧基所取代的环戊二烯基配体的茂金属催化剂[27561-0033-0023] 硅锗氢化物以及制造和使用其的方法[27561-0015-0024] 含有在4-、5－、6－或7-位被甲硅烷氧基或甲锗烷氧基取代的茚基部分的金属茂催化剂[27561-0002-0025] 硅锗/硅的化学气相沉积生长方法[27561-0029-0026] 用于连续制备高纯度四氯化硅或高纯度四氯化锗的反应器、设备和工业方法[27561-0027-0027] 通过阳极化埋置p 硅锗层获得的应变绝缘体上硅[27561-0010-0028] 使用含碳硅和锗化硅外延源/漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法[27561-0030-0029] 混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用[27561-0025-0030] 等离子辅助反应热化学气相沉积法制备微晶硅锗薄膜[27561-0008-0031] 半导体衬底、场效应晶体管、锗化硅层形成方法及其制造方法[27561-0028-0032] 制造硅化锗的方法及半导体器件[27561-0034-0033] 氧化增强的亚稳态硅锗膜层[27561-0006-0034] 采用锗或锑预无定形注入及清洗的钛硅化物方法[27561-0004-0035] 用于制备石英玻璃的氯化锗和硅氧烷原料和方法[27561-0036-0036] 形成锗硅化物层的方法、半导体装置、制造该装置的方法查询更多技术请点击： 中国创新技术网（http://www.887298.com） 金博专利技术网（http://www.39aa.net） 金博技术资料网 （http://www.117298.com） 购买操作说明（点击或复制） （http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt） 本部（辽宁日经咨询有限公司技术部）拥有各种专利技术、技术文献、论文资料近20万套500多万项，所有专利技术资料均为国家发明专利 、实用新型专利和科研成果，资料中有专利号、专利全文、技术说明书、技术配方、技术关键、工艺流程、图纸、质量标准、专家姓名等详实 资料。所有技术资料均为电子图书（PDF格式，没有录像及视频），承载物是光盘，可以邮寄光盘也可以用互联网将数据发到客户指定的电子邮 箱（网传免收邮费）。(1)、银行汇款：本套资料标价(是网传价，不包含邮费，如邮寄光盘加收15元快递费，快递公司不能到达的地区加 收22元的邮政特快专递费)汇入下列任一银行帐号（需带身份证），款到发货！中国农业银行:9559981010260269913 收款人: 王雷中国邮政银行:602250302200014417 收款人: 王雷中国建设银行： 0600189980130287777 收款人: 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