种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 220（V） 夹断电压 220（V） 跨导 10（μS） 极间电容 10（pF） 低频噪声系数 10（dB） 最大漏极电流 40000（mA） 最大耗散功率 600000（mW） 本品为4A 600V的MOS管