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发布信息当前位置: 首页 » 供应 » 项目合作 » 五金工具项目合作 » 352PBA21A1TNNA4 Moore 352

352PBA21A1TNNA4 Moore 352

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品 牌: Moore 
型 号: 352PBA21A1TNNA4 Moore 352 
规 格: 352PBA21A1TNNA4 Moore 352 
单 价: 6754.00元/个 
起 订: 1 个 
供货总量: 2 个
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 福建 厦门市
有效期至: 长期有效
更新日期: 2014-08-07 11:16
浏览次数: 5
询价
公司基本资料信息
 
 
 
【352PBA21A1TNNA4 Moore 352】详细说明
 352PBA21A1TNNA4  Moore 352

>>厦门兴锐达自动化设备有限公司
>> 联系人: 颜工
>> 电话: 0592-2350134
>>400-787970-032
>> 联系手机:18106937719
>> 传真:0592-5580710
>> E-mail:2990820635@qq.com
>> QQ:894704814,2990820635


产品特点
・降低通态电阻70%(注3),达到业内最高水平的低损耗。
・结合最新降低开关损耗的技术, 352PBA21A1TNNA4 使元器件总损耗降低14%(注4)。

3.主要规格(代表机型)

额定电压(V)

额定电流(A)

通态电阻(Ω)

封装

上市时期

600V

20A

0.19

TO-220F,TO-22O
TO-3P,TO-247

即日

30A

0.125

2012年 4月

47A

0.07

TO-3P,TO-247

2012年 4月

68A

0.04

TO-247

2012年 4月


4. 352PBA21A1TNNA4 主要用途
・服务器、不间断电源、播放设备等信息通信设备;
・面向太阳能电力调节器等新能源领域的电力变换装置等。

注1 352PBA21A1TNNA4 ,金属氧化物半导体场效应管。

注2 SJ结构:电荷非平衡Superjunction结构
其特点是,由于是使MOSFET的耐压层的p区和n区交互存在的结构,可使n区的杂质浓度提高,所以可大幅度降低阻值。
以往面状结构的MOSFET,由于是通过向高阻抗的n层延展电绝缘区(过流层)来确保耐压水平的,因此通态电阻无法降至一定值以下。
而SJ结构,是通过在n区形成p区,这既可以在纵向又可在横向延展过流层,因此,即使n层阻抗下降,依然可以确保耐压水平。据此, 352PBA21A1TNNA4 可实现超过以往面状结构理论极限的低通态电阻。 
ALLEN BRADLEY 1395-170024 DISCRETE ADAPTER BOARD 
COOPER DGD A1-R/A1R/960254 CONTROLLER/OPERATOR INTERFACE 
OMRON C500-CT012/3G2A5-CT012 COUNTER UNIT 
CUTLER HAMMER HUPF05172 CIRCUIT BREAKER DUAL MOUNT 

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