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供硅膜、氮化硅膜制造制备生产工艺专利大全

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更新日期: 2010-10-23 19:26
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【供硅膜、氮化硅膜制造制备生产工艺专利大全】详细说明
A95101 硅膜、氮化硅膜制造制备技术配方生产工艺专利大全 (本辑280元, 含下列48项)(特别提示:本站的专利文献均已被编成word格式,这在业内独树一帜。) 01、使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法02、氮氧化硅膜的形成方法、形成装置以及程序03、氮化硅膜的制造方法04、一种介孔二氧化硅膜的制备方法05、一种氮化硅膜的生长方法06、氮化硅膜形成方法及装置07、二氧化硅膜、该膜的形成材料和相关产品、及其制造方法08、多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法09、生产结构体的方法和氧化硅膜用蚀刻剂10、以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案11、硅烷聚合物及硅膜的形成方法12、借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法13、氧化硅膜的成膜方法以及成膜装置14、形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备15、生产氢化碳氧化硅膜的方法16、氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统17、玻璃的二氧化硅膜织构化18、硅膜成形方法19、硅膜的形成方法和喷墨用油墨组合物20、高抗激光损伤阈值疏水增透二氧化硅膜的制备方法21、多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法22、由含表面活性剂的溶液制备的中孔二氧化硅膜及其制备方法23、除去氮化硅膜的方法24、一种多孔氧化硅膜的制备方法25、边缘限定硅膜生长工艺的晶体生长设备与方法26、单晶硅膜的制造方法27、硅膜形成用组合物和硅膜的形成方法28、氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法29、用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法30、非晶质硅膜的结晶方法31、掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法与金属内连线的制造方法32、多晶硅膜的形成方法33、硅烷组合物、硅膜的形成方法和太阳能电池的制造方法34、多晶态硅膜的制造方法和制造装置、以及半导体装置及其制造方法35、氧化硅膜制作方法36、提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法37、氮化硅膜、半导体装置及其制造方法38、高级硅烷组合物及使用该组合物的硅膜形成方法39、氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置40、低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺41、多晶硅膜的制造方法42、生产具有含有有机着色剂的二氧化硅膜的积层材料的方法和由此生产的积层材料43、硅膜改性弹性玻璃毛细管柱的制备44、结晶硅膜、半导体器件及其制造方法45、从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法46、形成微晶硅膜的方法、光电元件及其制造方法47、制备薄硅膜的方法48、氧化硅膜的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体装置、显示装置和红外光照射装置
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