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磁阻元件 　利用半导体物理磁阻和几何磁阻效应制成的半导体磁敏元件。作为磁阻元件要求霍耳电势小而霍耳角大。常在扁长条霍耳片上蒸镀或溅射一层金属膜，利用光刻技术留下相距很近的环状栅格金属膜，相当于许多串联的扁形磁阻元件，能获得高的磁阻灵敏度。零磁场下电阻一般为几百欧，而磁感应强度为 1特斯拉时，其电阻比零磁场电阻增大12倍左右。弱磁场下，磁阻按(μB)2关系增加。在强磁场(μB>1)下磁阻随磁感应强度按线性规律变化。为获得较好的线性特性,应选择迁移率比较高的半导体材料（如 n型锑化铟）。磁阻元件中的载流子在电场中漂移很短，频率响应极佳。磁阻元件是二端元件，特殊的有三端和四端元件，还有磁阻集成电路。主要用于位移和角度的检测和无触点电位器等。
厦门航拓电气有限公司

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