140DAI45300C Quantum 开关量AC输入,32点,48VAC,8点成组隔离,CC
140DAI54000 Quantum 开关量 AC 输入, 16点, 115 VAC, 隔离
140DAI54000C Quantum 开关量 AC 输入, 16点, 115 VAC, 隔离, CC
140DAI54300 Quantum 开关量AC输入,16点,115VAC,8点成组隔离
140DAI54300C当要从DRAM芯片中读出数据时,CPU首先将行地址加在A0-A7上,而后送出RAS锁存信号,
该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上,再送CAS锁存信号,
也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1,则在CAS有效期间数据输出并保持。
当需要把数据写入芯片时,行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部,然后,WE有效,加上要写入的数据,则将该数据写入选中的存贮单元。
由于电容不可能长期保持电荷不变,必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作,以保持电荷稳定,
这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1,
每隔1⒌12μs产生一次DMA请求,该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时,
DMA控制器送出到刷新地址信号,对动态存储器执行读操作,每读一次刷新一行。
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