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(碳化硅膜)气相沉积炉 北京气相沉积炉

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品 牌: 西尼特(北京)电炉有限公司 
型 号: 碳化硅,氮化硅 
规 格: 碳化硅,氮化硅 
单 价: 面议 
起 订:  
供货总量: 1 个
发货期限: 自买家付款之日起 天内发货
所在地: 辽宁 朝阳市
有效期至: 长期有效
更新日期: 2014-05-11 13:00
浏览次数: 813
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公司基本资料信息
 
 
 
【(碳化硅膜)气相沉积炉 北京气相沉积炉】详细说明
加工定制:是最大电压: (V)功率: (W)额定温度:1300~1800(℃)主要用途:半导体器件和集成电路的钝化,用以提高器件和集成电路可靠性。※应用领域: CNT生产的CVD(SiC)设备是一种用于在基片上生成高质量SiC和SiO2薄膜的专用设备。淀积温度能够较高 (1300~1800℃可调 ) ,特别适用于半导体器件和集成电路的钝化,用以提高器件和集成电路可靠性。目前,它已成为微电子和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。※产品描述:CNT公司生产的CVD设备主要由全真空专用不锈钢腔体,分子泵高真空系统,电源,生长机体载体及温控系统,独立排气和生长压力调节系统,冷却循环水辅助设备等组成。整机结构紧凑、操作方便、抽真空速度快。此设备控制系统采用逻辑按钮手动控制与工控机自控控制可选。实现真空抽气和镀膜工艺一体化功能。此设备可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜等。※技术指标:参 数 名 称单 位配置沉积类型碳化硅,氮化硅电 源射频电源,带正向功率和反射功率计指示,带匹配器加热系统平板式双反应室系统,带加温和匀气系统工 作 温 度℃1300~1800℃基片台尺寸( H)mm1英寸、二英寸、三英寸、四英寸基片台转速转速0-20RPM控 温 精 度℃ 1极限真空pa6.67.0 10-5密封系统磁流体密封水冷、气路系统冷却水循环机、无噪声气泵报警及保护对缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警及相应保护措施真空系统(选 配)真空系列单级机械泵、扩散泵机组、分子泵工作腔体不锈钢气氛系统浮子流量计、进口、国产质量流量计记录装置进口、国产无纸记录仪备注:西尼特可根据阁下要求提供各种非标产品的设计制造,欢迎来函、来电咨询! 24小时热线:400-668-6260 18610138965 Fax:010-51418223cntdl@sina.com http://www.cimitdl.com
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