加工定制:是最大电压: （V）功率: （W）额定温度:100~1100（℃）主要用途:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介※应用领域：CNT生产的CVD（真空化学气相沉积炉）是一种用于在基片上生成高质量TiC、SiC、SiO2、Si3N4专用设备。淀积温度能够较高(100～1200℃可调)，它已成为机械制造工业、冶金工业、光学工业、半导体工业等领域微电子和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。※产品描述：CNT公司CVD设备主要由全真空专用不锈钢腔体，分子泵高真空系统，电源，生长机体载体及温控系统，独立排气和生长压力调节系统，冷却循环水辅助设备等组成。整机结构紧凑、操作方便、抽真空速度快。此设备控制系统采用逻辑按钮手动控制与工控机自控控制可选。实现真空抽气和镀膜工艺一体化功能。此设备可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜等。※技术指标：参 数 名 称单 位配置沉积类型TiC、SiC、SiO2、 -Si等电 源射频电源，带正向功率和反射功率计指示，带匹配器加热系统平板式双反应室系统，带加温和匀气系统工 作 温 度℃100~1100℃基片台尺寸( H)mm1英寸、二英寸、三英寸、四英寸、6英寸、8英寸基片台转速转速0-20RPM控 温 精 度℃ 1极限真空pa8.0 10-5密封系统磁流体密封水冷、气路系统冷却水循环机、无噪声气泵报警及保护对缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警及相应保护措施真空系统（选 配）真空系列单级机械泵、扩散泵机组、分子泵工作腔体不锈钢气氛系统浮子流量计、进口、国产质量流量计记录装置进口、国产无纸记录仪备注：西尼特可根据阁下要求提供各种非标产品的设计制造，欢迎来函、来电咨询！ 24小时热线：400-668-6260 18610138965 Fax:010-51418223cntdl@sina.com http://www.cimitdl.com