AlGaInPLED芯片介绍 精确设计外延层结构和控制MOCVD生长工艺，针对不同应用，生产不同规格外延片，通过细致的芯片加工工艺，使LED芯片成为客户手中的艺术品，给予用户更多的附加值。 数码点阵系列： T07R1BT08R1BT09R1C其它波段、尺寸等规格可应需求定制。 d:620-625nm620-625nm620-625nmVf:1.8-2.3V1.8-2.3V1.8-2.2VIv:20-40mcd20-40mcd40-60mcdVbr(Iz=-10 A): 30 30 30 景观照明，灯光布景，室内装修系列： T07R1ET07R1FT08R1G其它波段、尺寸等规格可应需求定制。 d:620-625nm620-625nm620-625nmVf:1.8-2.3V1.8-2.3V1.8-2.3VIv:70-90mcd80-100mcd90-110mcdVbr(Iz=-10 A): 30 30 30 显示屏、交通灯系列： T08R1JT09R1KT12R1L其它波段、尺寸等规格可应需求定制。 d:620-625nm620-625nm620-625nmVf:1.8-2.3V1.8-2.3V1.8-2.2VIv:120-140mcd130-150mcd140-170mcdVbr(Iz=-10 A): 30 30 30 高可靠性 E 系列：动态线性饱和度大，与常规产品相比，瞬态20ms饱和电流增加70%，耐电流冲击能力强。工作结温低，波长随电流变化小，高温加速老化亮度衰减减少2%。适用于一定苛刻环境下的使用。 TE1R1KTE2R1LTE3R1M其它波段、尺寸等规格可应需求定制。 d:620-625nm620-625nm620-625nmVf:1.8-2.3V1.8-2.2V1.8-2.2VIv:130-150mcd140-170mcd150-180mcdVbr(Iz=-10 A): 30 30 30