高频光电导少子寿命测试仪(基本型) :10～6000 s ＞3 cm型号：GDW3-LT-1A货号：ZH4111、 用途用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。2、 设备组成2.1、光脉冲发生装置重复频率＞25次/s 脉宽＞60 ｓ 光脉冲关断时间＜0.2-1 ｓ红外光源波长：1.06～1.09 m（测量硅单晶） 脉冲电流：5A～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.2、高频源频率：30MHz 低输出阻抗 输出功率＞1W2.3、放大器和检波器频率响应：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。3、测量范围LT-1可测硅单晶的电阻率范围： 3 ㎝（欧姆 厘米）,寿命值的测量范围：5～6000 ｓ