二极管,发光二极管,二极管组件,二极管面板最新技术汇编(168元/全套) 欢迎选购！请记住本套资料（光盘）售价：168元；资料（光盘）编号：G339294敬告：我公司只提供技术资料，不能提供任何实物产品及设备，也不能提供生产销售厂商信息。[8107-0116-0001]定位台装置[摘要]提供一种定位台装置，可使安装在可动台本体上的电池小型化或被去除，且不使用电缆非接触地在可动台本体的任意位置或任意定时供给电力。在包括用于提供交流磁场、非接触地得到电力的电接收线圈的定位台装置中，把多个供给电力的送电线圈填埋配置在底座结构体中，且设置有根据台的位置依次切换送电线圈的单元。与送电线圈错开相位在台上配置多个电接收线圈，把交流磁场的频率设定为由送电线圈与电接收线圈之间的互感、和负载确定的谐振频率。[8107-0206-0002]用于rf和微波通信集成电路的热电定点冷却器[摘要]提供了一种用于冷却集成电路中所选元件(例如射频集成电路中所用的有源晶体管或无源电路元件)的设备。在一种实施方案中，该冷却设备包括：冷极，热耦合到邻近集成电路元件的区域；热电冷却器，热耦合到冷极；热极，热耦合到热电冷却器。热量被从集成电路元件中通过冷极移出，并通过热电冷却器被传输到热极。一种形式下，热极位于集成电路的外表面或与其耦合，这样从集成电路元件中传输到周围的热量就能够被散发到集成电路周围的空气中。另一种形式中，热极被嵌入到集成电路衬底中以在把热量导入衬底的同时局部冷却集成电路元件。[8107-0212-0003]校准激光标记系统中的标记的方法在用于校准激光标窍低持械谋昙堑姆椒ㄖ校?a)将要观察的每个芯片分配给相应的视觉照相机，(b)匹配视觉照相机的坐标和激光标记器的坐标，(c)将预定的第一符号标记在芯片上或者标记在与芯片相对应的位置，利用相应的视觉照相机观察所选择的第一符号，并将所述第一符号的一点训练为基准点，(d)利用相应的视觉照相机观察所述第一符号和所述芯片的基准点，并相对于所述基准点，在所述芯片上标记第二符号，(e)观察所述芯片上的第二符号，并将所述第二符号的一点训练为比较点，以及(f)根据所述芯片上的所述基准点，检测所述比较点的位置，并计算每个单元中的标记误差。[8107-0033-0004]基板处理装置和基板处理方法、高速旋转阀、清洁方法[摘要]本发明提供一种基板处理装置，可将对排气反应容器排气时的排气端口的电导系数在ald处理中设定得小，以便在所述反应容器内形成层流，在净化处理中设定得大，以便可在短时间内净化所述反应容器内。基板处理装置(40)的排气端口(201a、201b)具有沿大致垂直于所述层流的流动方向的方向延伸的裂缝形状。在所述排气端口上结合旋转阀(25a、25b)，该旋转阀配备具有对应于所述裂缝形状的裂缝状开口部的阀体。伴随所述旋转阀中阀体的旋转，电导系数变化。[8107-0133-0005]优化的电子封装[摘要]一种与印刷电路板一起使用的电子封装。该电子封装包括具有上部和下部的接地层、半导体芯片、导电信号层以及接地面，所述接地面具有电连接到接地层的上部的第一部分和与所述接地层的所述下部基本齐平的第二部分，接地面的第二部分具有附加的面积用于防止在接地层、接地面和印刷电路板之间焊料连接的破裂。[8107-0135-0006]混合集成电路装置及其制造方法[摘要]一种混合集成电路装置及其制造方法，使沿衬底的一侧边部将在表面上固定引线的电路衬底的背面露出外部，进行密封。本发明包括：形成电路的工序，该电路由在电路衬底(16)表面上形成的导电图案(18)及与导电图案(18)电连接的电路元件(14)构成；在由沿电路衬底(16)的一侧边配置的导电图案(18)构成的焊盘(18a)上固定引线(11)的工序；将电路衬底(16)收纳入模制模具(30)的模穴(31)内，通过由模制模具(30)夹持引线(11)，将引线(11)固定的工序；通过在模穴(31)的内部注入密封树脂(12)，使电路衬底(16)的背面接触模具(30)的下面，进行密封的工序。[8107-0040-0007]键合线和使用该键合线的集成电路装置[摘要]一种键合线，其特征在于包括：包含铜作为主要材料的芯材；在所述芯材上形成的包含除铜之外金属的异种金属层；和一覆层，其包含具有熔点高于铜的熔点的抗氧化金属并且在所述异种金属层上形成，以及一使用所述键合线的集成电路装置。所述键合线可以形成在球直径的宽范围上具有真正圆形的球，并且可以使用镀敷技术制造而不会使镀液劣化，且所述覆层到所述芯材的粘合性良好。[8107-0105-0008]具有静电放电防护的薄膜晶体管元件的形成方法[摘要]一种具有静电放电防护的薄膜晶体管元件的形成方法，是在基板上先形成晶硅层，再限定晶硅层图形并形成具有相同导电特性的源极区、漏极区与连通路径，其中，源极区、漏极区与连通路径电性相连通，而构成一短路状态。接着，依序进行薄膜晶体管制造流程，最后，于源/漏极金属图案化限定数据线路时，利用蚀刻源/漏极金属，同时蚀刻晶硅层的连通路径而切断连通特性。[8107-0024-0009]表面处理方法、半导体器件、半导体器件的制造方法以及处理设备[摘要]一种使用超临界流体(4)处理其上形成有结构体的表面的表面处理方法，其特征在于将如氢氧化铵、链烷醇胺、氟化胺、氢氟酸等的共溶剂或反应剂(5)添加到超临界流体(4)。超临界流体(4)同样可以和共溶剂或反应剂(5)