二极管,发光二极管,二极管制造,元件最新技术汇编(168元/全套) 欢迎选购！请记住本套资料（光盘）售价：168元；资料（光盘）编号：G339293敬告：我公司只提供技术资料，不能提供任何实物产品及设备，也不能提供生产销售厂商信息。[8112-0048-0001]半导体器件[摘要]当把硅胶注入外壳时，由于硅胶在固化前是液体，硅胶会由于毛细管作用而沿第一电极的正面和树脂构件的背面之间形成的微小间隙上升。但是，由于在第一电极上的空腔处间隙增大，硅胶的上升运动停止在空腔的水平面处。更具体地说，防止硅胶到达第一电极和第二电极与外部端子相连接的部分。而且，由于可以通过空腔来阻止硅胶的上升运动，所以可以以相互靠近的关系来设置第一电极和第二电极。[8112-0127-0002]横型接合型场效应晶体管及其制造方法[摘要]本发魃婕昂嵝徒雍闲统⌒в??骞芗捌渲圃旆椒ā２捎帽竞嵝徒雍闲统⌒в??骞芎螅?诘?半导体层(13)中的源/漏区层(6、8)之间，跨越第2半导体层(12)及第3半导体层(13)，设置下面延伸到第2半导体层(12)、包含p型杂质的浓度高于第2半导体层的杂质浓度的第1栅电极层(18a)。另外，设置与第1栅电极层(18a)具有大致相同的杂质浓度，而且具有相同电位的第2栅电极层(18b)。其结果，可以提供具有在维持良好的耐压性的同时，还可以降低on电阻的结构的横型接合型场效应晶体管。[8112-0075-0003]光感测芯片的封装结构及其方法一种光感测芯片的封装结构及其方法，其包括基板、光感测芯片、支撑部、透明板、导线及保护体，以使光感测芯片上环设支撑部，并使透明板盖设于该支撑部上，以对应于光感测芯片上的光感测区，且使光感测芯片设置于基板上，并使导线电连接于光感测芯片及该基板，另使保护体粘设于光感测芯片的周缘及芯片周缘的基板上，以保护导线，以形成体积小的光感测芯片的封装结构，并可于制程中避免光感测芯片被污染。[8112-0156-0004]检测半导体装置过热的装置及方法[摘要]本发明涉及一种用以检测半导体装置过热的装置(1，11，21)及方法，其包含一种露炔饬孔爸?3，13，23)，而当半导体装置的温度变化时，该温度测量装置(3，13，23)会改变其导电性。[8112-0132-0005]半导体器件的制造方法及用于剥离抗蚀剂的清洗装置[摘要]以下面的方式一种半导体器件制造方法和一种剥离抗蚀剂的清洗装置以足够的成品率提供具有优异的元件特性的半导体器件，在光刻工艺的干蚀刻之后，通过湿清洗去掉抗蚀剂，并且充分地除去了颗粒或金属杂质同时没有损伤精细图形。半导体器件的制造方法包括：在为半导体衬底提供的膜上形成抗蚀剂图形，用抗蚀剂图形作为掩模形成导电膜的精细图形，同时进行干蚀刻，将抗蚀剂剥离液提供到半导体衬底的精细图形形成表面通过单晶片系统处理剥离抗蚀剂图形，以及进行半导体衬底的漂洗处理。[8112-0087-0006]场效应晶体管，集成电路以及形成集成电路的方法[摘要]一种场效应晶体管(fet)，包括fets的集成电路(ic)约耙恢中纬蒄ets的方法。每个fet包括一个沿半导体(例如硅)翅片一边的器件栅以及沿翅片反侧的一个反向偏压栅。反向偏压栅电介质与器件栅电介质在材料和/或厚度上都不同。器件阈值可以通过调节反向偏压栅电压调节。[8112-0002-0007]gaas基半导体结构上的氧化层及其形成方法[摘要]一种化合物半导体结构，包括位于支撑半导体结构(7)上的镓氧化物的第一层(8)，从而与之形成界面。在第一层上设置ga-gd氧化物的第二层(9)。gaas基支撑半导体结构可以是gaas基异质结构，如至少部分完成的半导体器件(例如金属氧化物场效应晶体管(430)、异质结双极晶体管(310)或半导体激光器)。按照这样的方式，由于介电结构由紧接着ga-gd氧化物层的ga2o3层形成，提供了同时在氧化物-gaas界面具有低缺陷密度和具有低氧化物漏电流密度的介电层结构。ga2o3层用于形成与gaas基支撑半导体结构的高质量界面，同时ga-gd氧化物提供低氧化物漏电流密度。[8112-0013-0008]化合物半导体发光元件及其制造方法[摘要]一种化