及其,及其制造,恢复功率二极管,二极管芯片类技术资料(168元/全套)货到付款 欢迎选购！请记住本套资料（光盘）售价：168元；资料（光盘）编号：F339325敬告：我公司只提供技术资料，不能提供任何实物产品及设备，也不能提供生产销售厂商信息。[8147-0096-0001]低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法...[摘要]本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。[8147-0191-0002]金属氧化物半导体晶体管及其制造方法[摘要]本发明公开了一种互补式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。本发明提供制造具有增强式性能互补式金属氧化物半导体晶体管的方法，由于短通道特性和操作功率可通过p型金属氧化物半导体区域的双重穿透停止层而受控制，及n型金属氧化物半导体的操作功率也可通过第一轻度掺杂漏极区域和第二轻度掺杂漏极区域所组成的双重轻度掺杂漏极区域的掺杂物浓度而受控制。[8147-0064-0003]浅沟道隔离物的制造方法及部分去除氧化层的方法本发明提供一种浅沟道隔离物的制造方法，首先，提供一形成有沟道(其深宽比例如大于3)的半导体基底。然后顺应性地在所述沟道的侧壁与底部以及所述半导体基底的表面形成一氧化层，接着，利用旋转喷洒方式在所述沟道填入液体蚀刻遮蔽物，以当作蚀刻遮蔽物，其具有第一密度。其次，利用旋转喷洒方式在所述半导体基底表面施以蚀刻剂，去除部分所述氧化层，以露出所述半导体基底的上表面并且留下所述沟道底部的氧化层，其中所述蚀刻剂具有第二密度，而所述第二密度小于所述第一密度。[8147-0168-0004]利用叠构式光阻影像转移的封装用载板制程[摘要]一种利用叠构式光阻影像转移的封装用载板制程。为提供一种无电镀导线、提高载板布线密度、降低成本、杜绝防焊阻剂剥离、改善电子产品功能品质的电子元件封装件制造方法，提出本发明，它包括于载板基材表面上设置薄底铜层；以第一次光阻影像转移手段定义出导体线路的镀铜区域；于镀铜区域镀铜；以第二次光阻影像转移手段定义出i/o接点镀镍金区域；于各i/o接点上电镀镍金；剥除光阻；蚀除线路间相连的薄底铜层；印制图案化的防焊阻剂。[8147-0165-0005]应用于氧化硅层均质化工艺的上管治具[摘要]一种应用于氧化硅层均质化工艺的上管治具，适用于四乙氧基硅烷工艺使氧化硅层均质化的方法，其中包括一内炉管上管治具，适用于将内炉管与外炉管作同轴对准。另外尚包括一标准程序，可以轻易的解决以四乙氧基硅烷工艺形成的氧化硅层的均匀度的问题，并可大幅提高工艺的稳定性。[8147-0148-0006]半导体器件及其制造方法[摘要]采用改善硅氮化膜的构成或形成方法的办法，提供特性等优良的半导体器件。该半导体器件具备：半导体衬底101；栅极电极104、105、106；在半导体衬底和栅极电极间形成的第1绝缘膜103；包括沿着栅极电极的上表面或侧面形成的包括氮、硅和氢的下层一侧硅氮化膜107，和在下层一侧硅氮化膜上边形成的含有氮、硅和氢的上层一侧硅氮化膜108的第2绝缘膜，其特征在于：上述下层一侧的硅氮化膜中的氮(n)和硅(si)之间的组成比n/si，比在上述上层一侧的硅氮化膜中的氮(n)和硅(si)之间的组成比n/si更高。[8147-0199-0007]一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器[摘要]一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器，包含有一第一pmos晶体管及一第二pmos晶体管串接该第一pmos晶体管，其中该第一pmos晶体管及该第二pmos晶体管形成于一p型衬底的一n型阱上，该第一pmos晶体管包含有一浮置栅、一第一p 漏极掺杂区及一第一p 源极掺杂区，该第二pmos晶体管包含有一栅极以及一第二p 源极掺杂区，而该第一pmos晶体管的该第一p 源极掺杂区同时用来作为该第二pmos晶体管的一漏极；及一擦除栅极形成于该p型衬底中，并邻接该浮置栅。[8147-0212-0008]气化器和气化供给装置[摘要]本发明提供即使在减少随cvd原料供给的载气的供给量来进行气化供给时，也能够防止气化室内固体cvd原料的析出和附着，并且能够以所需的浓度和流量极为有效地气化供给的气化器和气化供给装置。制作cvd原料供给部分至少具有cvd原料流路和载气流路，并具备cvd原料的流路产生cvd原料的压力损失的机构的气化器。制作在液体流量控制部分和气化器之间具备产生cvd原料压力损失的机构的气化供给装置。[8147-0054-0009]形成低介电常数材料的方法及产品[摘要]本发明涉及一种形成低介电常数材料的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底形成有若干半导体元件，并将半导基底置于一反应室；接着，提供一硅氧气体、碳氢气体及含氧气体的混合气体于反应室中以形成一低介电常数材料层，然后，对低介电常数材料层进行电浆硬化处理。本发明能够降低金属内连线的寄生电容及改善rc延迟现象，有效提升元件的传输速率，并降低应力(stress)与耐冲击特性，进而防止多层介电材料堆叠产生的龟裂。[8147-0143-0010]具有从密封树脂暴露出来的散热器的半导体器件[摘要]一种半导体元件具有一个电路形成表面，其中电极端在该表面的外围部分排列。该半导体元件被模制树脂封装在对应于半导体元件的电极的位置具有开孔的基片上。该半导体元件被安装到所述基片上，处于电路形成表面面对该基片和电极端位于该开孔处的状态，并且与半导体元件的电路形成表面相反的背面从模制树脂暴露出来。由金属片所形成的散热部件被提供在与安装有半导体元件的表面相反的基片表面上。该散热部件的表面从模制树脂暴露出来。[8147-0014-0011]染料敏化的光电转换元件[8147-0053-0012]一种防止重工光阻倒塌的方法[8147-0095-0013]半导体器件及其制造方法[8147-0074-0014]具有碳纳米管结构的单电子存储器及制备方法[8147-0197-0015]储存多重位元信息的罩幕式只读存储器[8147-0043-0016]n＜100＞衬底扩散、抛光工艺[8147-0123-0017]半导体装置和电容测量方法[8147-0208-0018]转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法[8147-0070-0019]半导体芯片的排入散热片治具及其散热片储料架[8147-0045-0020]t型栅制作的方法[8147-0003-0021]薄膜压电元件[8147-0135-0022]半导体器件上的标志的识别方法[8147-0173-0023]金属层图案的定义方法[8147-0175-0024]一种降低微粒残留及缺陷的方法[8147-0166-0025]可减少微刮痕的钨金属的化学机械研磨制程[8147-0188-0026]用于逻辑集成电路的嵌入式电容结构[8147-0124-0027]布线结构的形成方法[8147-0097-0028]薄膜晶体管的制造方法[8147-0125-0029]一种芯片封装结构[8147-0034-0030]形成具有洁净区的外延硅片的方法和装置[8147-0089-0031]图案形成方法[8147-0086-0032]一种白光发光二极管的制造方法[8147-0128-0033]用于包含各向异性半导体薄板的写一次存储器的二极管-和-熔丝存储元件[8147-0142-0034]高热传导的散热片结构及其制造方法[8147-0154-0035]表面处理方法及膜图案的形成方法[8147-0116-0036]热解氮化硼涂层基座[8147-0007-0037]剥除时间反馈控制以减少剥除后晶体管栅极临界尺寸变化[8147-0068-0038]快闪存储器的存储单元的制造方法[8147-0037-0039]在缺陷源识别器和工具数据收集及控制系统之间提供通信的方法和装置[8147-0192-0040]可正确写入数据的半导体存储装置[8147-0112-0041]耐熔微掩模法制备高温超导josephson结的方法[8147-0122-0042]焊接载物台[8147-0213-0043]半导体元件的制造方法[8147-0109-0044]复合量子阱结构高亮度gan基蓝光led外延片[8147-0132-0045]下电极的制造方法[8147-0189-0046]存储单元隔离[8147-0016-0047]产生辐射的半导体芯片[8147-0101-0048]半导体集成电路装置的制造方法[8147-0159-0049]栅极介电层的制造方法[8147-0103-0050]电光装置和半导体器件[8147-0046-0051]在半导体装置中形成无边界接触窗的方法[8147-0162-0052]介电层的制造方法[8147-0035-0053]电子元器件的树脂封装方法及其所采用的孔版[8147-0030-0054]具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法[8147-0151-0055]热电模块封装[8147-0072-0056]芯片上的集成电路栓锁现象防护电路[8147-0147-0057]带复合式储存节结构的电容及其制造方法[8147-0083-0058]具有防护环控制电路的硅控整流器[8147-0102-0059]导线接合性增强的半导体器件组件[8147-0215-0060]降低铜制程化学机械研磨的缺陷与研浆残留的方法[8147-0104-0061]强电介质电容器及其制造方法以及半导体存储装置[8147-0155-0062]应用于生长外延晶体的通用衬底及其制备方法[8147-0127-0063]半导体封装件及其制造方法[8147-0205-0064]有机小分子-半导体发光显示器连续生产设备及工艺[8147-0193-0065]可均一输入输出数据的非易失性半导体存储装置[8147-0062-0066]浅槽隔离的制造方法[8147-0021-0067]具有集成电路的电子芯片组件及其制造方法[8147-0126-0068]用于柔性互连封装的系统[8147-0087-0069]三波长白光发光二极管的制造方法[8147-0073-0070]