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为什么三星的14纳米会不如台积电的16纳米制程的另一个原因，在于FinFET(鳍式场效应电晶体)先进制程上的命名惯例被三星打破。当初台积电刚采用立体设计的FinFET工艺时，原本计画按照与Intel一致的测量方法、称为20纳米FinFET，因为该程的线宽与前一代半导体2D面工艺20纳米的线宽差不多。但三星抢先命名为「14纳米」，为了不在宣传上吃亏，台积电改称为「16纳米」。事实上，三星与台积电皆可称为「20纳米FinFET」。 

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