- 产品品牌:高纯
- 产品型号:In2O3
高纯氧化铟
化学符号:In2O3
分 子 量:277.64
熔 点:2465℃
规格:颗粒、粉末、片状
密 度:7.18g/cm3
在10-4Torr的蒸发温度:600℃
折 射 率(波长/nm):2.0(500)
透明范围/nm:320
坩 埚:Al2O3
蒸发方式:铂舟、电子束、反应蒸发
薄膜的机械和化学性质:通常加热到850℃即挥发,不溶于水,晶体不溶于酸,但无定形粉溶于酸;薄膜为透明的导体
应 用:氧化铟是一种N型半导体,在集成电路中用作电阻元件。
|
公司基本资料信息
|
高纯氧化铟
化学符号:In2O3
分 子 量:277.64
熔 点:2465℃
规格:颗粒、粉末、片状
密 度:7.18g/cm3
在10-4Torr的蒸发温度:600℃
折 射 率(波长/nm):2.0(500)
透明范围/nm:320
坩 埚:Al2O3
蒸发方式:铂舟、电子束、反应蒸发
薄膜的机械和化学性质:通常加热到850℃即挥发,不溶于水,晶体不溶于酸,但无定形粉溶于酸;薄膜为透明的导体
应 用:氧化铟是一种N型半导体,在集成电路中用作电阻元件。