产品品牌：英飞凌Infineon

产品型号：IKW50N60T

导电方式：增强型

沟道类型：P沟道

种类：绝缘栅（MOSFET）

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

栅极/发射极最大电压: /- 20 V

最大工作温度: 150 C

封装 / 箱体: TO-247-3

封装: Tube

集电极最大连续电流 Ic: 80 A

最小工作温度: - 40 C

安装风格: Through Hole

系列: IKW50N60

零件号别名: IKW50N60TFKSA1