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| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 2-4（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 跨导 | 4.0S（ S） | 极间电容 | 670（pF） |
| 低频噪声系数 | 10（dB） | 最大漏极电流 | 100NA（mA） |
| 最大耗散功率 | 48W（mW） |
本品为场效应管 4A 600V 封装 TO-251 为4A 600V
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公司基本资料信息
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| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 2-4（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 跨导 | 4.0S（ S） | 极间电容 | 670（pF） |
| 低频噪声系数 | 10（dB） | 最大漏极电流 | 100NA（mA） |
| 最大耗散功率 | 48W（mW） |
本品为场效应管 4A 600V 封装 TO-251 为4A 600V
